| 发明名称 | 微电子机械二选一微波开关及其制备方法 | ||
| 摘要 | 微电子机械二选一微波开关及其制备方法其结构简单、隔离度高、静态功耗低，且便于集成。以砷化镓为衬底(1)，第一微带线(3)、第二微带线(4)、第一锚区(5)、第一锚区(6)、膜桥(17)、电极(2)采用金为材料制备在衬底上，此外还包含覆盖在第一微带线(3)、第二微带线(4)和电极(2)上的第一氮化硅介质层(7)、第二氮化硅介质层(8)、第三氮化硅介质层(9)以及在衬底背面生长的金层(18)；其中，第一微带线(3)、第二微带线(4)分别位于电极(2)的两侧，而第一锚区(5)、第二锚区(6)则分布在开关结构的两侧；膜桥(17)悬空横跨在电极(2)和第一微带线(3)、第二微带线(4)上面，并由第一锚区(5)、第二锚区(6)进行支撑。 | ||
| 申请公布号 | CN101369679B | 申请公布日期 | 2012.05.23 |
| 申请号 | CN200810156451.9 | 申请日期 | 2008.10.10 |
| 申请人 | 东南大学 | 发明人 | 廖小平;杨乐;张志强 |
| 分类号 | H01P1/10(2006.01)I;H01P11/00(2006.01)I | 主分类号 | H01P1/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人 | 叶连生 |
| 主权项 | 一种微电子机械二选一微波开关，其特征在于，通过制作两个结构相同的MEMS膜结构，控制其中一个MEMS膜桥的下拉来完成交流信号的选择，微机械二选一开关以砷化镓为衬底(1)，第一微带线(3)、第二微带线(4)、第一锚区(5)、第二锚区(6)、膜桥(17)、电极(2)采用金为材料制备在衬底上，此外还包含覆盖在第一微带线(3)、第二微带线(4)和电极(2)上的第一氮化硅介质层(7)、第二氮化硅介质层(8)、第三氮化硅介质层(9)以及在衬底背面生长的金层(18)；其中，第一微带线(3)、第二微带线(4)分别位于电极(2)的两侧，而第一锚区(5)、第二锚区(6)则分布在开关结构的两侧；膜桥(17)悬空横跨在电极(2)和第一微带线(3)、第二微带线(4)上面，并由第一锚区(5)、第二锚区(6)进行支撑。 | ||
| 地址 | 210096 江苏省南京市四牌楼2号 | ||