发明名称 | 氮化镓基发光二极管电流阻挡层的制作方法 | ||
摘要 | 一种氮化镓基发光二极管电流阻挡层的制作方法,包括如下步骤:步骤1:取一氮化镓LED外延片,该外延片由衬底,N型氮化镓,多量子阱,铝镓氮EBL和P型氮化镓组成;步骤2:将该氮化镓LED外延片隔离成多个重复单元,每个单元就是一个独立的LED芯片;步骤3:对每个单元上表面的选定区域进行表面处理,使P型氮化镓的表层的中心区域形成电流阻挡层;步骤4:在每个单元上表面制作P电极,该P电极覆盖整个电流阻挡层及P型氮化镓,完成氮化镓基发光二极管电流阻挡层的制作。 | ||
申请公布号 | CN102214743A | 申请公布日期 | 2011.10.12 |
申请号 | CN201110152904.2 | 申请日期 | 2011.06.09 |
申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 郭恩卿;伊晓燕;汪炼成;孙波;王国宏 |
分类号 | H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汤保平 |
主权项 | 一种氮化镓基发光二极管电流阻挡层的制作方法,包括如下步骤:步骤1:取一氮化镓LED外延片,该外延片由衬底,N型氮化镓,多量子阱,铝镓氮EBL和P型氮化镓组成;步骤2:将该氮化镓LED外延片隔离成多个重复单元,每个单元就是一个独立的LED芯片;步骤3:对每个单元上表面的选定区域进行表面处理,使P型氮化镓的表层的中心区域形成电流阻挡层;步骤4:在每个单元上表面制作P电极,该P电极覆盖整个电流阻挡层及P型氮化镓,完成氮化镓基发光二极管电流阻挡层的制作。 | ||
地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 |