一种高真空陶瓷LCC封装方法

摘要

本发明属于MEMS器件封装技术领域，具体涉及一种高真空陶瓷LCC封装方法。按照本方法所述步骤依次经过等离子清洗、共晶贴片、引线互连、吸气剂激活和共晶封接完成封装的MEMS器件满足如下要求：封装腔体内的真空度小于1Pa，保存期限大于等于15年，实现了硅微陀螺Q值约为15万的封装。通过采用等离子清洗方法，提高了封装质量，降低了封装体的整体漏率，即外漏问题；通过选用与封接焊料相同的贴片焊料进行共晶的方法进行贴片，减少了封装体内部材料的放气量；通过吸气剂激活，可有效吸附封装体内释放的少量气体，保证了封装体内的较好真空度。

主权项

一种高真空陶瓷LCC封装方法，其特征在于步骤依次如下：(1)对待封装零件进行等离子清洗；(2)共晶贴片，把微结构芯片(5)贴装至陶瓷LCC(3)上；(3)引线互连，将微结构芯片(5)与陶瓷LCC(3)电气连接；(4)将吸气剂(4)激活；(5)共晶封接，把密封盖板(1)与陶瓷LCC(3)封接在一起。