| 发明名称 | 用于改善碳化硅MOSFET中反型层迁移率的方法 | ||
| 摘要 | 一种制造基于SiC衬底(12)的半导体器件的方法，包括步骤：以足够高的氧化率在SiC衬底(12)的Si端面上形成(201)氧化物层(14)从而获得小于5×1011cm-2的邻近界面陷阱浓度；以及在含氢气的环境中使得经过氧化的SiC衬底退火(202)，以使得在氧化物形成步骤中形成的深陷阱钝化，从而能制造具有改善的反型层迁移率和减小的阈值电压的基于SiC的MOSFET(10)。本发明人已经发现当SiC衬底的Si面受到快速氧化时，DT的浓度增加，而NIT的浓度减小。根据本发明，可以通过氢气退火来使得在快速氧化期间形成的深陷阱钝化，从而导致在氧化物上形成的半导体器件的阈值电压明显降低。 | ||
| 申请公布号 | CN101512727B | 申请公布日期 | 2011.04.20 |
| 申请号 | CN200780032138.8 | 申请日期 | 2007.08.29 |
| 申请人 | NXP股份有限公司 | 发明人 | 托马斯·C·勒德尔;埃纳尔·O·斯文比约登松;哈尔多尔·O·奥拉夫松;古德约·I·古德永松;卡尔·F·阿勒斯坦 |
| 分类号 | H01L21/18(2006.01)I;H01L29/161(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 王波波 |
| 主权项 | 一种制造基于SiC衬底(12)的半导体器件的方法，包括步骤：以足够高的氧化率在SiC衬底(12)的Si端面上形成氧化物层(14)来获得小于5×1011cm‑2的邻近界面陷阱浓度，其中所述足够高的氧化率是通过氧化率改良剂实现的，其中所述氧化率改良剂是碱金属；以及在含氢气的环境中使得经过氧化的SiC衬底退火，以使得在所述氧化物形成步骤中形成的深陷阱钝化，从而能制造具有改善的反型层迁移率和减小的阈值电压的基于SiC的MOSFET(10)。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||