| 发明名称 | 制造半导体装置的方法 | ||
| 摘要 | 一种制造半导体装置的方法包括在半导体层中形成沟槽，在沟槽中形成栅电极，在沟槽中的栅电极上形成热氧化膜，在沟槽中的热氧化膜上形成硅酸盐玻璃膜，在半导体层中形成主体区域，以及在主体区域上形成源区，其中，当在所述沟槽中形成硅酸盐玻璃膜时，将所述硅酸盐玻璃膜形成在所述半导体层上，然后对所述硅酸盐玻璃膜进行回蚀刻，以便暴露所述半导体层且将所述硅酸盐玻璃膜留在所述沟槽内部。该方法提供了具有沟道长度的减小的波动和低导通电阻的半导体装置。 | ||
| 申请公布号 | CN101154598B | 申请公布日期 | 2011.02.09 |
| 申请号 | CN200710161372.2 | 申请日期 | 2007.09.28 |
| 申请人 | 瑞萨电子株式会社 | 发明人 | 小林研也;山本英雄;金子敦司;村濑义光 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 王波波 |
| 主权项 | 一种制造半导体装置的方法，包括：在半导体层中形成沟槽；在沟槽中形成栅电极；在沟槽中的栅电极上形成热氧化膜；在沟槽中的热氧化膜上形成硅酸盐玻璃膜；在形成硅酸盐玻璃膜后，在半导体层中形成主体区域；以及在主体区域上形成源区，其中，当在所述沟槽中形成硅酸盐玻璃膜时，将所述硅酸盐玻璃膜形成在所述半导体层上，然后对所述硅酸盐玻璃膜进行回蚀刻，以便曝露所述半导体层且将所述硅酸盐玻璃膜留在所述沟槽内部。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||