发明名称 制作微扭转轴的方法
摘要 本发明提供一种制作微扭转轴的方法。首先提供晶片,晶片上定义有至少一扭转轴区与至少二穿透区。之后,由晶片的下表面去除部分位于扭转轴区的晶片,再由晶片的上表面去除位于二穿透区的晶片直至穿透晶片,以形成微扭转轴。接着,对晶片的微扭转轴进行晶片级测量,随后再进行蚀刻工艺,以调整微扭转轴的几何形状。根据本发明方法,微扭转轴的厚度不再受晶片厚度所局限,且微扭转轴可接受晶片级测量。
申请公布号 CN101121498B 申请公布日期 2011.01.26
申请号 CN200610110719.6 申请日期 2006.08.07
申请人 探微科技股份有限公司 发明人 何宪龙
分类号 B81C1/00(2006.01)I 主分类号 B81C1/00(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 张波
主权项 一种制作微扭转轴的方法,包括:提供晶片,该晶片具有第一表面和第二表面,该晶片上定义有至少一扭转轴区与至少二穿透区,且该二穿透区位于该扭转轴区的两侧;由该晶片的该第一表面去除位于该扭转轴区的该晶片的部分厚度;由该晶片的该第二表面去除位于该二穿透区的该晶片直至穿透该晶片,以形成微扭转轴;对该晶片进行晶片级测量;以及在该晶片级测量之后蚀刻该晶片,以利用该晶片级测量的结果调整该微扭转轴的几何形状。
地址 中国台湾桃园县