| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 提供了一种半导体器件以及制造方法。所述半导体器件包括：第一导电类型的半导体衬底；在所述半导体衬底上的第一导电类型的外延层；在所述外延层上的第二导电类型的基极区，所述基极区包括互相间隔开预定距离的子区；在所述基极区上的第一导电类型的源极区；在所述基极区的子区之间的第一导电类型的漏极区；穿透所述源极区和所述基极区的沟槽；在所述沟槽内的第一栅极导电层；和所述基极区的暴露部分上的第二栅极导电层。 | ||
| 申请公布号 | CN101211983B | 申请公布日期 | 2010.10.13 |
| 申请号 | CN200710305607.0 | 申请日期 | 2007.12.26 |
| 申请人 | 东部高科股份有限公司 | 发明人 | 方诚晚 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 蔡胜有;王春伟 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：第一导电类型的半导体衬底；在所述半导体衬底上的第一导电类型的外延层；在所述外延层上的第二导电类型的基极区，所述基极区包括通过预定距离的外延层而互相间隔开的各子区；在所述基极区上的所述第一导电类型的源极区；所述基极区的各子区之间的所述第一导电类型的漏极区；穿透所述源极区和所述基极区的沟槽；在所述沟槽内的垂直栅极导电层；和在所述基极区的暴露部分上的水平栅极导电层，其中在所述水平栅极之下的所述基极区的长度等于所述垂直栅极的侧面长度。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||