形成像素结构的方法

摘要

本发明公开一种形成像素结构的方法，利用第一导电层形成扫描线与数据线段，利用半导体层与栅极绝缘层形成通道结构、第一隔离结构与第二隔离结构，利用第二导电层形成源极电极、漏极电极与共同电极。第一隔离结构与第二隔离结构可避免共同电极电连接至扫描线与数据线段，并同时暴露出部分的数据线段，使源极电极可直接接触数据线段而形成数据线。据此，本发明不需利用半透光掩模或半色调光掩模即可制作出屏蔽位于数据线上方的像素结构，且可维持数据线的低阻抗。

主权项

一种形成像素结构的方法，包括：提供一基板；在该基板上形成一图案化第一导电层，包括一扫描线与一数据线段；在该扫描线与该数据线段上形成一栅极绝缘层；在该栅极绝缘层上形成一半导体层；去除部分的该半导体层与部分的该栅极绝缘层，以形成一通道结构、一第一隔离结构与一第二隔离结构，并暴露出部分的该数据线段，其中该通道结构与该第一隔离结构均部分重叠于该扫描线上，而该第二隔离结构部分重叠于该数据线段上；在该数据线段、该通道结构、该第一与该第二隔离结构上形成一第二导电层；去除部分的该第二导电层，以形成一共同电极、一源极电极与一漏极电极，其中该共同电极部分重叠于该第一与该第二隔离结构，该源极电极接触该数据线段与该通道结构，且该漏极电极接触该通道结构；在该通道结构、该源极电极、该漏极电极与该共同电极上形成一介电层，该介电层暴露出部分的该漏极电极；在该介电层上形成一像素电极，该像素电极电连接该漏极电极。