发明名称 通过共注入而在基底中形成弱化区的方法
摘要 本发明涉及一种薄层制造方法,其中,通过在基底(1)中注入化学物质产生弱化埋入区,以便之后可沿着所述弱化区开始所述基底(1)的断裂,以从其分离出所述薄层(6)。根据本发明,所述制造方法尤其包括以下步骤:a)在基底(1)中的主深度(5)的主化学物质(4)的主注入;b)在基底(1)中的不同于所述主深度(5)的次深度(3)的至少一种次化学物质(2)的至少一次次注入,其中所述次化学物质(2)在弱化基底(1)方面的效力不及主化学物质(4),并且其浓度高于主化学物质(4)的浓度;c)所述次化学物质(2)的至少一部分向主深度(5)附近迁移;以及d)沿着主深度(5)开始所述断裂。本发明同样涉及借助本发明方法获得的薄层。
申请公布号 CN100587940C 申请公布日期 2010.02.03
申请号 CN200380102438.0 申请日期 2003.10.31
申请人 原子能委员会 发明人 B·阿斯帕;C·拉格;N·苏斯比;J-F·米乔德
分类号 H01L21/762(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I 主分类号 H01L21/762(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 王 杰
主权项 1.薄层制造方法,其中,通过在基底(1)中注入化学物质产生弱化埋入区,以便之后可沿着所述弱化区开始所述基底(1)的断裂,以从其分离出所述薄层(6),所述方法的特征在于包括以下步骤:a)在基底(1)中的主深度(5)的主化学物质(4)的主注入,并且b)在基底(1)中的不同于所述主深度(5)的次深度(3)的至少一种次化学物质(2)的至少一次次注入,其中所述次化学物质(2)在弱化基底(1)方面的效力不及主化学物质(4),并且其浓度高于主化学物质(4)的浓度,其中所述步骤a)和b)可以按照任意顺序实施,并且该方法还包括以下步骤:c)所述次化学物质(2)的至少一部分向主深度(5)附近迁移,以及d)沿着主深度(5)开始所述断裂。
地址 法国巴黎