发明名称 一种碘化亚铜半导体膜的微波等离子体制备方法
摘要 本发明涉及一种碘化亚铜半导体膜的微波等离子体制备方法,该方法包括一波导及调谐装置、一石英微波窗口、一氢气进气口、一等离子室、2个弧形Cu靶电极、一冷却水系统、一视窗、一基座及加热装置、一真空系统、一微波系统、一镀膜室、一成膜衬底、一载气进气口和一碘蒸气进气口。本方法以微波辐照产生氩的等离子体,轰击铜靶;以纯铜作靶,碘蒸汽为碘源,以微波辐照产生等离子体;微波辐照使铜、碘在到达基片之前一直处于等离子状态;将微波辐照与离子轰击结合在一起,保证成膜是以离子的形式进行。
申请公布号 CN101509122A 申请公布日期 2009.08.19
申请号 CN200910131816.7 申请日期 2009.04.08
申请人 青岛科技大学 发明人 孙四通;于庆先
分类号 C23C14/06(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;C23C14/40(2006.01)I 主分类号 C23C14/06(2006.01)I
代理机构 北京天平专利商标代理有限公司 代理人 王宏星
主权项 1、一种碘化亚铜半导体膜的微波等离子体制备方法,包括一波导及调谐装置、一石英微波窗口、一氢气进气口、一等离子室、两个弧形Cu靶电极、一冷却水系统、一视窗、一基座及加热装置、一真空系统、一微波系统、一镀膜室、一成膜衬底、一载气进气口和一碘蒸气进气口;其特征是:以微波辐照产生氩的等离子体,轰击铜靶;以纯铜作靶,碘蒸汽为碘源,以微波辐照产生等离子体;将微波辐照与离子轰击结合在一起,保证成膜是以离子的形式进行。
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