薄膜晶体管和平板显示器以及它们的制造方法

摘要

薄膜晶体管(TFT)能够减小源极/漏极的互连电阻，防止有源层的污染，减少像素电极和源极/漏极之间的接触电阻，平稳地向有源层提供氢并具有高迁移率、开电流特性和阈值电压特性。该TFT包括：具有沟道区和源极/漏极区的有源层；用于向沟道区提供信号的栅极；分别与源极/漏极区相连的源极/漏极，该源极/漏极包括钛、钛合金、钽、钽合金中的至少一种；夹在源极/漏极和有源层之间的绝缘层，其包括氮化硅。

主权项

1. 一种制造薄膜晶体管的方法，该方法包括：在基质上形成半导体层；晶化所述半导体层并且使所述半导体层图案化，形成有源层；形成栅绝缘层以覆盖所述有源层；在所述栅绝缘层上形成栅极；形成层间介电层以覆盖所述栅极，其中所述栅绝缘层和所述层间介电层中的至少一个包含氮化硅；热处理所述基质以氢化所述有源层；在所述栅绝缘层和所述层间介电层的至少一个中形成源极/漏极接触孔；以及形成源极/漏极，该源极/漏极设置在所述层间介电层上，其通过源极/漏极接触孔与有源层接触，且包括钛、钛合金、钽和钽合金中的至少一种。