功率半导体器件及其方法

摘要

一种功率晶体管包括多个晶体管单元。每一晶体管单元具有耦合至覆盖第一主表面的第一电极互连区域的第一电极，耦合至覆盖所述第一主表面的控制电极互连区域的控制电极，以及耦合至覆盖第二主表面的第二电极互连区域的第二电极。每一晶体管单元在沟道区内具有基本上恒定的掺杂浓度。采用介电平台作为外延层的边缘终端，从而在其中保持基本上为平面的等势线。所述功率晶体管在工作频率高于500兆赫，功耗超过5瓦的射频应用中具有独特的应用。设计所述半导体管芯和封装，使得所述功率晶体管可以在这样严峻的条件下的高效地工作。

主权项

1.一种半导体器件，其包括：半导体管芯，其包括至少一个晶体管，所述晶体管具有栅极、漏极区域、源极区域和沟道区域，其中所述栅极包括导电材料，且其中所述晶体管的栅极长度等于所述导电材料层的淀积厚度；所述半导体管芯内的有源区，其中所述至少一个晶体管的所述沟道区域在所述有源区内；以及围绕所述有源区的介电平台，其中所述介电平台大于十微米宽且至少四微米深。