| 摘要 |
本发明揭示一种可变电阻记忆体阵列、程式化一可变电阻记忆体元件及形成该阵列之方法。采用复数个环绕各相变记忆体元件之字线电晶体形成一可变电阻记忆体阵列。为了程式化一选定可变电阻记忆体元件，将所有位元线接地或使其偏压相同电压。选择与该选定可变电阻记忆体元件接触的一顶部电极选择线。开启具有环绕该选定可变电阻记忆体元件之字线电晶体之字线以将程式化电流供应至该元件。电流从该选定顶部电极选择线穿过该可变电阻记忆体元件流入该等环绕字线电晶体之共同源极/汲极区中，横跨该等电晶体至最近位元线接点。以各种格状组态图案化该等字线。 |
