发明名称 半导体器件,显示器件,发光器件以及其制作方法
摘要 本发明提供一种半导体器件,该半导体器件的结构除了具有薄膜,轻量,有曲面柔性外,还有防止湿气和氧等从外界侵入到元件形成层的效果。本发明具有用含有氟树脂的膜覆盖元件形成层的结构,通过用分隔开的岛状半导体膜形成包含在元件形成层的TFT,不但实现了薄膜轻量化,同时实现了具有柔性的结构,而且,防止了湿气和氧等从外界侵入。
申请公布号 CN100392860C 申请公布日期 2008.06.04
申请号 CN200310119911.8 申请日期 2003.11.22
申请人 株式会社半导体能源研究所 发明人 三崎舜平;高山彻;鹤目卓也;后藤裕吾
分类号 H01L27/12(2006.01);H01L29/786(2006.01);G02F1/136(2006.01);G09F9/00(2006.01);H01L21/00(2006.01) 主分类号 H01L27/12(2006.01)
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 梁永
主权项 1.一种制作半导体器件的方法,它包括以下步骤:在第一衬底上形成包括多个薄膜晶体管的器件形成层;形成与该器件形成层相接触的第一粘合层;粘合第二衬底到所述第一粘合层,并使所述器件形成层夹在所述第一衬底和所述第二衬底中间;用物理方法从所述器件形成层分开并除去所述第一衬底;用溅射法在暴露出的面上形成第一含有氟树脂的膜;中间夹第二粘合层粘合第三衬底到该第一含有氟树脂的膜上;从所述器件形成层分开并除去所述第一粘合层和所述第二衬底;用溅射法在所述器件形成层的暴露出的面上形成第二含有氟树脂的膜;以及从所述器件形成层分开并除去所述第二粘合层和所述第三衬底。
地址 日本神奈川县厚木市