发光二极体元件及其制法

摘要

本发明提供一种发光二极体元件及其制法,先于单晶氧化铝基板上成长氮化镓发光二极体结构,利用湿式蚀刻方式在基底产生多个V型沟槽,并沿着V型沟槽将单晶氧化铝基板分割而晶粒化,形成具有倾斜侧面基底的发光二极体元件。藉由基底之倾斜侧面可减少内部全反射的机率,使得发光二极体元件具有较佳的发光效率。