电致发光多孔硅材料的制备方法

摘要

本发明公开了一种电致发光多孔硅及其制备方法，属于电致发光多孔硅材料技术。所述的电致发光多孔硅材料由硅基底层，在硅基底层一侧的上方为多孔硅层，多孔硅层之上为平均直径为200-500纳米、长度为2-10微米的硅线层构成。其制备方法过程包括将经过清洗的硅片置入由氢氟酸和硝酸银的水溶液中进行化学刻蚀，刻蚀后的硅片再置于氢氟酸、乙醇的水溶液中进行电化学刻蚀制得电致发光多孔硅材料。本发明的优点在于制备过程简单，所制得的电致发光多孔硅材料在多孔硅层上部形成硅线层，从而具有较现有电致发光多孔硅更高效的发光能力。

主权项

1.一种电致发光多孔硅材料的制备方法，所述的电致发光多孔硅材料，包括硅基底层，在硅基底层一侧的上方为多孔硅层，多孔硅层之上为平均直径为200-500纳米、长度为2-10微米的硅线层，其特征在于包括以下过程：1)以任何规格的p型或n型单晶硅片为原料，依次用去离子水、丙酮和无水乙醇清洗干净，并选择一面作为刻蚀面，另一面贴上塑料胶带，将洗净的硅片置于1.0-3.0mol/L氢氟酸和0.01-0.05mol/L硝酸银的水溶液在常压下加热至40-60℃，保温30-60分钟进行化学刻蚀，然后取出已被刻蚀的硅片，在9-17％的稀硝酸中浸泡3-7天，备用；2)将第1)步处理的单晶硅片在9-17％稀硝酸中浸泡后再在去离子水中浸泡5-10分钟后取出晾干，然后将此硅片背面的塑料胶带去除，以化学刻蚀面作为阳极置于电解槽中，并加入氢氟酸，乙醇和水按照体积比为1∶1-10∶1-10混合的电解液进行电化学刻蚀，电化学刻蚀时的电流密度控制在20-80mA/cm2，刻蚀时间为20-60分钟，刻蚀完毕后，取出硅片在无水乙醇中浸泡5-10分钟后晾干即获得具有硅线结构的电致发光多孔硅。