| 发明名称 | 一种镍铁薄膜及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种镍铁薄膜及其制备方法。镍铁薄膜中镍含量在10至35原子百分比，其中面心立方结构所占的比例在0至100％之间可调。镍铁薄膜具有垂直于基片表面的柱状晶粒，晶粒在平行于基片表面方向上的宽度是5至500纳米。用物理气相沉积法制备不同成分的镍铁薄膜，用低于500度的热处理调节镍铁薄膜中面心立方结构所占比例。本发明的优点在于：通过对同一种成分的镍铁薄膜进行低温热处理，调节薄膜中不同结晶结构比例，获得相应的物理特性。由于温度控制容易，所以制备工艺稳定、制备方法简单。 | ||
| 申请公布号 | CN1315641C | 申请公布日期 | 2007.05.16 |
| 申请号 | CN200410009912.1 | 申请日期 | 2004.11.30 |
| 申请人 | 北京科技大学 | 发明人 | 邱宏;陈晓白;潘礼庆;吴平;王凤平 |
| 分类号 | B32B15/04(2006.01) | 主分类号 | B32B15/04(2006.01) |
| 代理机构 | 北京科大华谊专利代理事务所 | 代理人 | 刘月娥 |
| 主权项 | 1、一种镍铁薄膜，其薄膜的镍含量在10原子百分比至35原子百分比；其特征在于：由具有热氧化二氧化硅的Si基片(1)及在具有热氧化二氧化硅的Si基片上生成的镍铁薄膜(2)组成，镍铁薄膜(2)的厚度为10纳米至1000纳米；镍铁薄膜(2)中的面心立方结构部分(3)所占比例在0至100％之间，相应的体心立方结构部分(4)所占比例在100％至0之间，镍铁薄膜(2)具有垂直于基片表面的柱状结晶晶粒(5)，结晶晶粒的大小，即结晶晶粒在平行于基片表面方向上的宽度，为5纳米至500纳米。 | ||
| 地址 | 100083北京市海淀区学院路30号 | ||