| 主权项 |
1.一种研磨剂,包含分散在一介质中的一4价金属氢 氧化物粒子的一研浆与一添加剂,其特征在于该添 加剂为含从下面的通式(1)以及下面的通式(II)所表 示的单体组中选出的至少一种单体成分的一聚合 物: 通式(I)中,R1表示氢、甲基、苯基、苯甲基、氯基 、二氟甲基、三氟甲基、氰基其中之一,R2、R3分 别表示独立的氢、C1-C18的烷基、羟甲基、乙醯基 、双丙酮基其中之一,且R2、R3不包括两个均为氢 的情况;以及 通式(II)中,R1与通式(I)一样,R4表示吗基、硫化吗 基、咯烷基、啶基其中之一。 2.如申请专利范围第1项所述之研磨剂,其特征在于 该4价金属氢氧化物粒子的比表面积为100m2/g以上 。 3.如申请专利范围第1项或第2项所述之研磨剂,其 特征在于分散在该介质中的该4价金属氢氧化物粒 子的2次粒子的粒径的中央値为300nm以下。 4.如申请专利范围第1项或第2项所述之研磨剂,其 特征在于该研磨剂的pH値为3以上,9以下。 5.如申请专利范围第1项或第2项所述之研磨剂,其 特征在于该聚合物具有丙烯醯胺的N-单取代物主 体,甲基丙烯醯胺的N-单取代物主体,丙烯醯胺的N,N --双取代物主体,以及甲基丙烯醯胺的N,N--双取代 物主体中的至少一种。 6.如申请专利范围第1项或第2项所述之研磨剂,其 特征在于该聚合物为聚(N,N-二甲基丙烯醯胺)。 7.如申请专利范围第1项或第2项所述之研磨剂,其 特征在于该4价金属氢氧化物为稀土类金属氢氧化 物与氢氧化锆中的至少一种。 8.如申请专利范围第1项或第2项所述之研磨剂,其 特征在于该4价金属氢氧化物为4价的金属盐与硷 液混合制备的。 9.如申请专利范围第1项或第2项所述之研磨剂,其 特征在于该介质为水。 10.一种研磨方法,其特征在于用申请专利范围第1 项至第9项中任何一项所述之研磨剂对所定的一基 板进行研磨。 11.一种研磨方法,包括将一研磨垫压在至少形成有 一氧化矽膜的一基板的一被研磨面上加压,一边向 该研磨垫与该被研磨面之间供给申请专利范围第1 项至第9项中的任何一项所述之研磨剂,一边使被 该研磨面与该研磨垫相对运动。 12.如申请专利范围第10项至第11项中任何一项所述 之研磨方法,其特征在于该基板为半导体元件制造 技术中的基板。 图式简单说明: 图1A是本发明的实施例的浅沟渠隔离(STI)绝缘膜用 CMP试验晶片评价部的沟渠形成后的平面图。 图1B是图1A的AA'面的纵截面图。 图1C是本发明的实施例的浅沟渠隔离(STI)绝缘膜绝 缘层埋入后的纵截面图。 图2是表示本发明的实施例的凹部绝缘膜残膜量与 研磨时间的关系的表,以及表示研磨前的各膜厚的 图1C的局部放大图。 图3是表示本发明的实施例的凸部绝缘膜残膜量与 研磨时间的关系的表,以及表示研磨前的各膜厚的 图1C的局部放大图。 图4是表示本发明的实施例的凹部绝缘膜残膜量与 研磨时间的关系的表,以及表示研磨前的各膜厚的 图1C的局部放大图。 图5是表示本发明的实施例的凸部绝缘膜残膜量与 研磨时间的关系的表,以及表示研磨前的各膜厚的 图1C的局部放大图。 |
