| 发明名称 | MRAM技术中用于MTJ中的合成反铁磁结构 | ||
| 摘要 | 一种用于磁阻随机存取存储器(MRAM)的磁隧道结(MTJ)(10)，具有自由层(14)，该自由层是合成反铁磁(SAF)结构。该SAF(14)包括由耦合层(28)分隔的两个铁磁层(26，30)。耦合层(28)具有非磁性的基材料和改善热耐久性、SAF(14)的耦合强度控制和磁阻比(MR)的其它材料。优选的基材料是钌，优选的其它材料是钽。为了增强这些优点，在钽和铁磁层之一之间的界面处增加钴－铁。另外，耦合层(28)甚至可具有更多的层(38、40)，并且使用的材料可以变化。另外，耦合层(28)本身可为合金。 | ||
| 申请公布号 | CN1894801A | 申请公布日期 | 2007.01.10 |
| 申请号 | CN200480037446.6 | 申请日期 | 2004.11.04 |
| 申请人 | 飞思卡尔半导体公司 | 发明人 | 斯里尼瓦斯·V·皮耶塔姆巴拉姆;雷努·W·戴夫;乔恩·M·斯劳特;孙继军 |
| 分类号 | H01L29/76(2006.01) | 主分类号 | H01L29/76(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 穆德骏;黄启行 |
| 主权项 | 1.一种磁隧道结(MTJ)，包括：第一电极和第二电极；所述第一与第二电极间的隧道阻挡；所述第一电极与所述隧道阻挡间的自由合成反铁磁(SAF)；所述隧道阻挡与所述第二电极间的固定层；其中所述自由SAF包括：第一层和第二层，其中所述第一和第二层是铁磁的；所述第一和第二层间的第三层，其中所述第三层包括基材料；所述第三层和所述第二层间的第四层，其中所述第四层包括钽。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯 | ||