为快速电可擦除可编程只读存储器单元形成相对于有源区自对准的浮动栅多晶硅层的方法

摘要

本发明涉及用于在电可编程和可擦除存储器件中隔离有源区的方法和设备。在衬底上形成第一绝缘材料层。在第一绝缘材料层上形成导电材料层。多个间隔开的沟槽通过第一绝缘材料层和导电材料层并进入到衬底中。第二绝缘材料层形成在沟槽的侧壁部分上。在沟槽中形成绝缘材料块。对于每个沟槽，导电材料层的边缘部分以预定的距离Δ与第一绝缘材料层和可能的绝缘材料块的一部分重叠并在其上延伸。对于每个沟槽，预定的距离Δ是如此选择的：在对衬底和导电层进行后段处理后，导电材料层的边缘部分对准隔离沟槽的侧壁部分。

主权项

1.一种用于形成半导体器件中隔离区和有源区的自对准方法，该方法包括如下步骤：在一个半导体衬底上形成第一材料层；形成多个间隔开的沟槽，它们穿过第一材料层延伸进入衬底中；沿着沟槽的侧壁部分形成第一绝缘材料层，其中，所述第一绝缘材料层具有一个厚度；用绝缘材料填充沟槽；去除第一材料层来暴露衬底的部分；在衬底的暴露部分上形成第二绝缘材料层；以及在第二绝缘材料层上形成导电材料层，其中，对于每个沟槽，所述导电材料层有一个边缘部分，所述边缘部分以一个预定的距离Δ与第二绝缘材料层重叠并在其上延伸，所述预定的距离Δ比所述第一绝缘材料层的所述厚度小。