| 发明名称 | 一种硅片刻蚀工艺处方的控制方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种硅片刻蚀的工艺处方控制方法，其特征在于，先将硅片刻蚀工艺过程的各种控制参数设定为工艺处方，然后在工艺运行过程中按预先设定的方式选择各工艺处方来控制系统运行，所述工艺处方包括各种特殊气体的流量、反应腔室的压力、氦气的压力、反应腔室的温度、反应的最长、反应的最短时间或反应的结束条件等及各参数的不同组合，工艺处方中包含有一个或多个分步反应条件，利用工艺处方及其中的各个分步反应条件来控制硅片刻蚀，可以把复杂的参数设置、更改工作简化，通过预先设置的方式，灵活方便地控制和更改各种参数，控制反应腔室的各种反应条件和刻蚀反应结果。 | ||
| 申请公布号 | CN1848374A | 申请公布日期 | 2006.10.18 |
| 申请号 | CN200510126446.X | 申请日期 | 2005.12.09 |
| 申请人 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明人 | 张继宏 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/02(2006.01);G03F7/00(2006.01);G05D27/00(2006.01);G05B19/04(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王常风 |
| 主权项 | 1、一种硅片刻蚀的工艺处方控制方法，其特征在于，先将硅片刻蚀工艺过程的各种控制参数设定为工艺处方，然后在工艺运行过程中按预先设定的方式选择各工艺处方来控制系统运行。 | ||
| 地址 | 100016北京市朝阳区酒仙桥东路1号 | ||