发明名称 | 一种改善MgO薄膜表面性能的方法 | ||
摘要 | 一种改善MgO薄膜表面性能的方法,首先,在制备有ITO透明电极、银电极和介质层的彩色等离子显示屏的玻璃基板上采用电子束蒸发的方法于富氧氛围中在介质层上蒸镀厚度为400-800纳米的MgO薄膜;其次,对MgO薄膜注入氧离子、氮离子、氖离子或氩离子,注入的离子能量为5~60keV,注入剂量为1.0×10<SUP>15</SUP>~2.2×10<SUP>18</SUP>ions/cm<SUP>2</SUP>;最后,对注入离子后的MgO薄膜在200~400℃进行高温退火即可。由于本发明采用低能离子注入方法对MgO薄膜进行表面改性,改性后的MgO薄膜表面呈现<111>结晶面择优取向、薄膜致密性显著提高、薄膜的抗离子溅射性能明显增强且着火电压低,从而能有效地降低PDP显示器件的能耗。 | ||
申请公布号 | CN1807320A | 申请公布日期 | 2006.07.26 |
申请号 | CN200610041618.8 | 申请日期 | 2006.01.10 |
申请人 | 彩虹集团电子股份有限公司 | 发明人 | 张志刚 |
分类号 | C03C17/23(2006.01) | 主分类号 | C03C17/23(2006.01) |
代理机构 | 西安通大专利代理有限责任公司 | 代理人 | 张震国 |
主权项 | 1、一种改善MgO薄膜表面性能的方法,其特征在于:1)首先,在制备有ITO透明电极、银电极和介质层的彩色等离子显示屏的玻璃基板上采用电子束蒸发的方法于富氧氛围中在介质层上蒸镀厚度为400-800纳米的MgO薄膜;2)其次,对MgO薄膜注入氧离子、氮离子、氖离子或氩离子,注入的离子能量为5~60keV,注入剂量为1.0×1015~2.2×1018ions/cm2;3)最后,对注入离子后的MgO薄膜在200~400℃进行高温退火即可。 | ||
地址 | 712021陕西省咸阳市彩虹路1号 |