| 主权项 |
1.一种薄膜电晶体印刷制程方法,系利用印刷方式 备制薄膜电晶体(TFT)中之电极,该方法步骤包括有: 定义一印刷图样,系将一晶种材料定义该印刷图样 于一印刷模组上; 备制一基板与已定义图样之该印刷模组; 进行该基板之表面处理; 印刷该晶种材料于该基板上; 浸置该基板于一包含金属离子之溶液中; 还原金属离子,并沉积还原之金属材料; 形成金属配线,系使用硫酸亚铁溶液(FeSO4)将在该 基板上不希望金属沉积的部分去除,即于该晶种材 料位置形成该金属配线。 2.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体印刷制 程方法,其中该基板可为导体、半导体、绝缘体材 料。 3.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体印刷制 程方法,其中该晶种材料可为包含SnCl2或银的错离 子之敏化材料。 4.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体印刷制 程方法,其中该基板可为玻璃基板、非晶矽半导体 基板。 5.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体印刷制 程方法,其中该印刷图样包括该薄膜电晶体之闸极 、汲极与源极图样。 6.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体印刷制 程方法,其中该进行基板表面处理之步骤系于该基 板表面进行利用氢氧化氨、二氧化氢与水(NH3OH:H2O 2:H2O)比例为1:1:6所配成的溶液去除金属离子的污 染,及用氯化氢、二氧化氢与水(HCl:H2O2:H2O)比例为1 :1:5所配成的溶液去除有机物的污染。 7.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体印刷制 程方法,其中于该形成金属配线之步骤后,即利用 FeSO4溶液清洗、去除不须金属沉积的部分。 8.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体印刷制 程方法,其中于该印刷模组为一平面型印刷模组。 9.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体印刷制 程方法,其中于该印刷模组为一滚轮型印刷模组。 10.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体印刷制 程方法,其中该溶液为含有还原剂、安定剂与金属 离子等混合之溶液。 11.如申请专利范围第10项所述之薄膜电晶体印刷 制程方法,其中之还原剂可为aldehyde;dextrose;Rochell salts;Rochelle salts + silver nitrate;glyoxal;hydrazine sulfate; a boiled mixture solution of Rochelle salts and crystallized sugar;sugar Inverted by nitric acid;KBH4 or DMAB;aldonic acid 和aldonic lactone;cobalt ion;sodium sulfide;triethanol amine;CH 2OH(CHOH)nCH2OH(n=1-6)。 12.如申请专利范围第10项所述之薄膜电晶体印刷 制程方法,其中之安定剂可为乙二铵、明胶、阿拉 伯胶、有机酸、锌和铅的无机盐类或是硫化铜。 13.一种薄膜电晶体印刷制程方法,系利用印刷方式 备制薄膜电晶体(TFT)中之电极,该方法步骤包括有: 备制一基板,一印刷模组与一光阻材料; 进行该基板之表面处理; 印刷该光阻材料于该基板上,形成一光阻层; 定义图样,系于该光阻层定义图样; 浸置该基板于一含有金属离子之溶液中; 还原该金属离子,并于该基板上沉积金属材料; 去除该光阻材料; 形成金属配线。 14.如申请专利范围第13项所述之薄膜电晶体印刷 制程方法,其中该基板可为导体、半导体、绝缘体 材料。 15.如申请专利范围第13项所述之薄膜电晶体印刷 制程方法,其中该基板可为玻璃基板、非晶矽半导 体基板。 16.如申请专利范围第13项所述之薄膜电晶体印刷 制程方法,其中该印刷图样包括该薄膜电晶体之闸 极、汲极与源极图样。 17.如申请专利范围第13项所述之薄膜电晶体印刷 制程方法,其中该进行基板表面处理之步骤系于该 基板表面进行利用氢氧化氨、二氧化氢与水(NH3OH: H2O2:H2O)比例为1:1:6所配成的溶液去除金属离子的 污染,及用氯化氢、二氧化氢与水(HCl:H2O2:H2O)比例 为1:1:5所配成的溶液去除有机物的污染。 18.如申请专利范围第13项所述之薄膜电晶体印刷 制程方法,其中于该印刷模组为一平面型印刷模组 。 19.如申请专利范围第13项所述之薄膜电晶体印刷 制程方法,其中于该印刷模组为一滚轮型印刷模组 。 20.如申请专利范围第13项所述之薄膜电晶体印刷 制程方法,其中该定义图样之步骤系将该光阻层以 光罩进行非接触式曝光显影,蚀刻后形成定义图样 。 21.如申请专利范围第13项所述之薄膜电晶体印刷 制程方法,其中于该还原金属离子之步骤前,可先 去除该光阻材料。 22.如申请专利范围第13项所述之薄膜电晶体印刷 制程方法,其中该溶液为含有还原剂、安定剂与金 属离子等混合之溶液。 23.如申请专利范围第22项所述之薄膜电晶体印刷 制程方法,其中之还原剂可为aldehyde;dextrose;Rochell salts;Rochelle salts + silver nitrate;glyoxal;hydrazine sulfate; a boiled mixture solution of Rochelle salts and crystallized sugar;sugar Inverted by nitric acid;KBH4 or DMAB;aldonic acid 和aldonic lactone;cobalt ion;sodium sulfide;triethanol amine;CH 2OH(CHOH)nCH2OH(n=1-6)。 24.如申请专利范围第22项所述之薄膜电晶体印刷 制程方法,其中之安定剂可为乙二铵、明胶、阿拉 伯胶、有机酸、锌和铅的无机盐类或是硫化铜。 25.一种薄膜电晶体印刷制程方法,系利用印刷方式 备制薄膜电晶体(TFT)中之电极,该方法步骤包括有: 备制一基板、一印刷模组与一固化材料,并先使用 该固化材料于该印刷模组上定义图样; 进行该基板之表面处理; 印刷定义好图样之固化材料于该基板上; 浸置该基板于一含有金属离子之溶液中; 还原该金属离子,并于该基板上沉积金属材料; 去除该固化材料; 形成金属配线。 26.如申请专利范围第25项所述之薄膜电晶体印刷 制程方法,其中该基板可为导体、半导体、绝缘体 材料。 27.如申请专利范围第25项所述之薄膜电晶体印刷 制程方法,其中该基板可为玻璃基板、非晶矽半导 体基板。 28.如申请专利范围第25项所述之薄膜电晶体印刷 制程方法,其中该印刷图样包括该薄膜电晶体之闸 极、汲极与源极图样。 29.如申请专利范围第25项所述之薄膜电晶体印刷 制程方法,其中该进行基板表面处理之步骤系于该 基板表面进行利用氢氧化氨、二氧化氢与水(NH3OH: H2O2:H2O)比例为1:1:6所配成的溶液去除金属离子的 污染,及用氯化氢、二氧化氢与水(HCl:H2O2:H2O)比例 为1:1:5所配成的溶液去除有机物的污染。 30.如申请专利范围第25项所述之薄膜电晶体印刷 制程方法,其中于该印刷模组为一平面型印刷模组 。 31.如申请专利范围第25项所述之薄膜电晶体印刷 制程方法,其中于该印刷模组为一滚轮型印刷模组 。 32.如申请专利范围第25项所述之薄膜电晶体印刷 制程方法,其中于该固化材料可为光固化材料或热 固化材料。 33.如申请专利范围第25项所述之薄膜电晶体印刷 制程方法,其中于该还原金属离子之步骤前,可先 去除该固化材料。 34.如申请专利范围第25项所述之薄膜电晶体印刷 制程方法,其中该溶液为含有还原剂、安定剂与金 属离子等混合之溶液。 35.如申请专利范围第34项所述之薄膜电晶体印刷 制程方法,其中之还原剂可为aldehyde;dextrose;Rochell salts;Rochelle salts + silver nitrate;glyoxal;hydrazine sulfate; a boiled mixture solution of Rochelle salts and crystallized sugar;sugar Inverted by nitric acid;KBH4 or DMAB;aldonic acid 和aldonic lactone;cobalt ion;sodium sulfide;triethanol amine;CH 2OH(CHOH)nCH2OH(n=1-6)。 36.如申请专利范围第34项所述之薄膜电晶体印刷 制程方法,其中之安定剂可为乙二铵、明胶、阿拉 伯胶、有机酸、锌和铅的无机盐类或是硫化铜。 图式简单说明: 第一A图系为习用技术薄膜电晶体结构示意图; 第一B图系为习用技术薄膜电晶体制造方法流程; 第二图系为习用技术薄膜电晶体结构示意图; 第三A图系为本发明第一实施例平面接触印刷方式 之制程结构示意图之一; 第三B图系为本发明第一实施例平面接触印刷方式 之制程结构示意图之二; 第三C图系为第一实施例平面接触印刷方式之制程 流程; 第四A图系为本发明第二实施例滚轮印刷方式之制 程结构示意图之一; 第四B图系为本发明第二实施例滚轮印刷方式之制 程结构示意图之二; 第五A图系为本发明第三实施例滚轮印刷方式之制 程结构示意图之一; 第五B图系为本发明第三实施例滚轮印刷方式之制 程结构示意图之二; 第五C图系为本发明第三实施例滚轮印刷方式之制 程结构示意图之三; 第五D图系为第三实施例滚轮印刷方式之制程流程 ; 第六图系为第四实施例滚轮印刷方式之制程流程; 第七A图系为本发明第五实施例之制程结构示意图 之一; 第七B图系为本发明第五实施例之制程结构示意图 之二; 第七C图系为本发明第五实施例之制程结构示意图 之三; 第七D图系为第五实施例之制程流程; 第八图系为第六实施例之制程流程。 |
