| 摘要 |
依据本发明之一态样系揭示一半导体基材制程设备及一用于处理半导体基材之方法。该半导体基材制程设备可包括一半导体基材支撑件、一位于该半导体基材支撑件上方的分配头、一液体容器以及依传送子系统。半导体基材可置放于半导体基材支撑件上，同时将第一半导体制程液体分配其上。该晶圆也可藉该半导体基材支撑件作旋转，以移除第一半导体制程液体。该传送子系统可将半导体基材传送至该液体容器中，使半导体基材浸没于一第二半导体制程液体中。该半导体基材可接着由该第二半导体制程液体移出，同时将蒸气导引至该半导体基材之一表面处，使半导体基材接触该第二半导体制程液体的表面。 |
