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Ein Siliziumwafer, hergestellt durch das Czochralski-Verfahren, beinhaltend eine ringförmige OSF-Region und mit einer Stickstoffkonzentration von 2,9 x 10·14· bis 5,0 x 10·15· Atomen/cm·3· und einer Sauerstoffkonzentration von 1,27 x 10·18· bis 3,0 x 10·18· Atomen/cm·3· wird wärmebehandelt in einer reduzierenden Gas- oder inerten Gasatmosphäre durch Anstieg der Temperatur mit einer Rate von 0,5 DEG C/min bis 2,0 DEG C/min, bis der Wafer auf eine Wärmebehandlungstemperatur von 1000 bis 1200 DEG C erwärmt ist.
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