| 主权项 |
1.一种成长抗沾黏性高氮量铬化物薄膜之方法,其 主要系利用非平衡磁控溅射设备以溅镀法于工件 上成长该高氮量铬化物薄膜,其制程步骤主要包含 : 将工件置放非平衡磁控溅镀设备中预定的作用腔 体,该工件置入定位后关闭该作用腔体,并施以抽 真空; 以溅镀手段、铬为靶材于工件表面成长一铬薄膜; 以溅镀手段、铬为靶材并导入一第一氮气(N2)流于 该作用腔体中,使工件表面的该铬层上成长一第一 氮化铬薄膜;以及 以溅镀手段、铬为靶材并导入一第二氮气流于该 作用腔体中,使该第一氮化铬薄膜上成长高氮含量 之第二氮化铬薄膜,同时增加其表面陶瓷相,藉以 于工件表面成长一复层式高氮量铬化物薄膜。 2.如申请专利范围第1项所述之成长抗沾黏性高氮 量铬化物薄膜之方法,其中于该铬薄膜上成长该第 一氮化铬薄膜步骤,系控制该第一氮气流系每秒20 1C.C.。 3.如申请专利范围第1或2项所述之成长抗沾黏性高 氮量铬化物薄膜之方法,其中于该第一氮化铬薄膜 上成长一高氮量之第二氮化铬薄膜,系透过控制使 第一氮气流与第二氮气流相同或不同,以形成具相 同或不同之氮含量之高氮量之第二氮化铬薄膜。 4.如申请专利范围第1或2项所述之成长抗沾黏性高 氮量铬化物薄膜之方法,其中于该第一氮化铬膜上 成长高氮量之第二氮化铬薄膜后,亦可进一步包含 透过控制与第一氮气流及/或第二氮气流相同或不 同之一第三、四…氮气流,以形成二层或以上具相 同或不同氮含量之复层式高氮量氮化铬薄膜。 5.如申请专利范围第4项所述之成长抗沾黏性高氮 量铬化物薄膜之方法,其中于该第一氮化铬膜上之 成长二层或以上具相同或不同氮含量之复层式高 氮量氮化铬薄膜时,系先控制该第二氮气流为每秒 301.5C.C.成长一高氮量之第二氮化铬薄膜,再控制 一第三氮气流为每秒351.8 C.C.,以成长高氮量之一 第三氧化铬薄膜厚度。 6.一种抗沾粘性高氮量铬化物薄膜结构,其系使用 申请专利范围第1至5项中任一项之方法所形成。 图式简单说明: 第一图系本发明成长抗沾黏性高氮量铬化物薄膜 之方法流程示意图(代表图)。 第二图系本发明使用之非平衡磁控溅镀设备之平 面示意图。 第三图系本发明于工件表面成长该高氮量铬化物 薄膜之平面示意图。 |
