| 主权项 |
1.一种资讯记录媒体,具有第1资讯层及第2资讯层, 其特征在于: 前述第1资讯层包含有第1记录层,该第1记录层系藉 由雷射光束之照射,或藉由施加电流所产生之焦耳 热,在结晶相与非晶质相之间引起可逆相变化; 前述第2资讯层包含有第2记录层,该第2记录层系藉 由前述雷射光束之照射或藉由施加电流所产生之 焦耳热,在结晶相与非晶质相之间,引起可逆相变 化; 前述第1记录层由第1材料构成; 前述第2记录层由第2材料构成; 前述第1材料与前述第2材料相异; 前述第1材料包含有Ge、Sb及Te,前述第2材料包含有M 1、Sb及Te,M1系选自Ag、In、Ge、Sn、Se、Bi、Au及Mn中 之至少1种元素。 2.如申请专利范围第1项之资讯记录媒体,其中,前 述第1材料系用下列组成式来表示。 GeaSbbTe3+a (式中,0<a≦10,1.5≦b≦4) 3.如申请专利范围第1项之资讯记录媒体,其中,前 述第1材料系用下列组成式来表示: (Ge-M2)aSbbTe3+a (式中,M2系选自Sn及Pb中之至少1种元素,0<a≦10,1.5≦ b≦4) 4.如申请专利范围第1项之资讯记录媒体,其中,前 述第1材料系用下列组成式来表示: (GeaSbbTe3+a)100-cM3c (式中,M3系选自Si、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、 Se、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、In、Sn、Ta、W、Os、 Ir、Pt、Au及Bi中之至少1种元素,0<a≦10,1.5≦b≦4,0<c ≦20)。 5.如申请专利范围第1项之资讯记录媒体,其中,前 述第2材料系用下列组成式来表示: (SbxTe100-x)100-yMly (式中,50≦x≦95,0<y≦20) 6.如申请专利范围第1项之资讯记录媒体,其中,前 述第1及第2记录层系藉由前述雷射光束之照射而 产生可逆相变化之层,前述第1资讯层系较前述第2 资讯层配置在更靠前述雷射光束之射入侧,前述第 2材料之熔点较前述第1材料之熔点低。 7.如申请专利范围第1项之资讯记录媒体,其中,前 述第1及第2记录层系藉由前述雷射光束之照射引 起可逆相变化之层,前述第1资讯层系较前述第2资 讯层配置在更靠前述雷射光束之射入侧。 8.如申请专利范围第6项之资讯记录媒体,其中,前 述第1记录层之厚度在9nm以下。 9.如申请专利范围第6项之资讯记录媒体,其中,前 述第2记录层之厚度在6nm-15nm之范围内。 10.如申请专利范围第6项之资讯记录媒体,其中,前 述第1记录层为结晶相时之前述第1资讯层之穿透 率Tc(%)、及前述第1记录层为非晶质相时之前述第1 资讯层之穿透率Ta(%),对波长为390nm以上430nm以下之 前述雷射光束,满足 40≦(Tc+Ta)/2。 11.如申请专利范围第6项之资讯记录媒体,其进一 步具备配置在前述第1资讯层与前述第2资讯层之 间的光学分离层; 前述第1资讯层包含有第1基板、第1下侧保护层、 第1上侧保护层及第1反射层; 前述第2资讯层包含第2下侧保护层、第2上侧保护 层、第2反射层及第2基板; 前述第1基板、前述第1下侧保护层、前述第1记录 层、前述第1上侧保护层、前述第1反射层、前述 光学分离层、前述第2下侧保护层、前述第2记录 层、前述第2上侧保护层、前述第2反射层、及前 述第2基板,系依此顺序自前述雷射光束之射入侧 起配置。 12.如申请专利范围第11项之资讯记录媒体,其进一 步具备配置在前述第1基板与前述第1下侧保护层 之间的透明层。 13.如申请专利范围第11项之资讯记录媒体,其进一 步具备界面层,该界面层系配置在选自前述第1下 侧保护层与前述第1记录层之界面、及前述第1上 侧保护层与前述第1记录层之界面中的至少1个界 面。 14.如申请专利范围第11项之资讯记录媒体,其进一 步具备界面层,该界面层系配置在选自前述第2下 侧保护层与前述第2记录层之界面、及前述第2上 侧保护层与前述第2记录层之界面中的至少1个界 面。 15.如申请专利范围第11项之资讯记录媒体,其进一 步具备界面层,该界面层系配置在选自前述第1上 侧保护层与前述第1反射层之界面、及前述第2上 侧保护层与前述第2反射层之界面中的至少一个界 面。 16.如申请专利范围第11项之资讯记录媒体,其进一 步具备穿透率调整层,该穿透率调整层系在前述第 1反射层与前述光学分离层之间,用以调整前述第1 资讯层之穿透率。 17.如申请专利范围第16项之资讯记录媒体,其进一 步具备界面层,该界面层系配置在前述第1反射层 与前述穿透率调整层之间。 18.如申请专利范围第11项之资讯记录媒体,其中,前 述第1基板之厚度系在10m-800m之范围内。 19.如申请专利范围第11项之资讯记录媒体,其中,前 述第2基板之厚度系在400m-1300m之范围内。 20.如申请专利范围第1项之资讯记录媒体,其进一 步包含第1及第2电极,前述第1及第2记录层系藉由 前述电流之施加而产生可逆相变化之层,而在前述 第1电极上,依照前述第1记录层、前述第2记录层、 及前述第2电极之顺序积层。 21.如申请专利范围第20项之资讯记录媒体,其进一 步具备配置在前述第1记录层与前述第2记录层之 间的中间电极。 22.一种资讯记录媒体之制造方法,系用以制造具备 第1资讯层及第2资讯层之资讯记录媒体,其特征在 于,包含: (a)形成至少具备第1反射层、第1上侧保护层、第1 记录层、第1下侧保护层之前述第1资讯层之步骤; 以及 (b)形成至少具备第2反射层、第2上侧保护层、第2 记录层、第2下侧保护层之前述第2资讯层之步骤; 前述第1记录层及前述第2记录层,系藉由由雷射光 之照射或藉由施加电流所产生之焦耳热,在结晶相 与非晶质相之间,引起可逆相变化的材料; 前述(a)步骤,包含使用含Ge、Sb及Te之母材来形成前 述第1记录层之步骤; 前述(b)步骤,包含使用含M1、Sb及Te之母材来形成前 述第2记录层之步骤,该M1系选自Ag、In、Ge、Sn、Se 、Bi、Au及Mn中之至少1种元素。 23.如申请专利范围第22项之资讯记录媒体之制造 方法,其于前述(a)步骤中,系于第1基板上形成前述 第1资讯层,于前述(a)及(b)之步骤后,透过光学分离 层将前述第1资讯层与前述第2资讯层加以密合。 24.如申请专利范围第22项之资讯记录媒体之制造 方法,其中,前述第1及第2记录层系使用溅镀法来形 成,该溅镀法系使用包含氩气或氪气之溅镀气体。 25.如申请专利范围第24项之资讯记录媒体之制造 方法,其中,前述溅镀气体包含选自氮气或氧气中 之至少1种气体。 26.如申请专利范围第24项之资讯记录媒体之制造 方法,其中,前述第1记录层之厚度为9nm以下,于前述 (a)步骤中,系以0.1nm/秒-3nm/秒范围内之成膜速率来 形成前述第1记录层。 27.如申请专利范围第24项之资讯记录媒体之制造 方法,其中,前述第2记录层之厚度在6nm-15nm之范围 内,于前述(b)步骤中,系以0.3nm/秒-10nm/秒范围内之 成膜速率来形成前述第2记录层。 28.如申请专利范围第22项之资讯记录媒体之制造 方法,其中,系在前述(a)步骤之前进行前述(b)步骤, 而在前述(b)步骤之后、前述(a)步骤之前,进一步的 包含在前述第2资讯层上,形成光学分离层之(c)步 骤; 前述(a)步骤中,在前述光学分离层上,形成前述第1 资讯层。 29.一种资讯记录媒体之记录再生方法,其特征在于 : 前述资讯记录媒体系申请专利范围第1项之资讯记 录媒体; 对前述资讯记录媒体之第1资讯层,系藉由前述第1 资讯层侧所射入之雷射光束,进行资讯之记录再生 ; 对前述资讯记录媒体之第2资讯层,系藉由穿透前 述第1资讯层之前述雷射光束,进行资讯之记录再 生; 前述雷射光束之波长系在390nm以上430nm以下。 30.如申请专利范围第29项之资讯记录媒体之记录 再生方法,其中,进行资讯之记录再生时,前述资讯 记录媒体之线速度在3m/秒以上30m/秒以下。 31.如申请专利范围第29项之资讯记录媒体之记录 再生方法,其中,前述雷射光束系藉由物镜来聚光 之雷射光束,而前述物镜之数値孔径NA系在0.5以上1 .1以下。 32.一种资讯记录媒体之记录再生方法,其特征在于 : 前述资讯记录媒体系本发明申请专利范围第1项之 资讯记录媒体; 前述资讯记录媒体之前述第1及第2记录层,系藉由 施加电流所产生之焦耳热,在结晶相与非晶质相之 间产生可逆相变化之层; 当使前述第1或第2记录层从非晶质相变化为结晶 相时,前述第1记录层或第2记录层所施加之电流脉 冲之振幅Ic及脉冲宽tc、当使前述第1记录层从结 晶相变化为非晶质相时,前述第1记录层所施加之 电流脉冲之振幅Ia1及脉冲宽ta1、当使前述第2记录 层从结晶相变化为非晶质相时,前述第2记录层所 施加之电流脉冲之振幅Ia2及脉冲宽ta2,系满足Ic<Ia2 <Ia1之关系、及ta1≦tc或ta2≦tc之关系。 图式简单说明: 图1系显示本发明之资讯记录媒体之一例的部分截 面图。 图2系显示本发明之资讯记录媒体之另一例的部分 截面图。 图3系显示本发明之资讯记录媒体之其他例的部分 截面图。 图4系显示本发明之记录再生方法所使用之记录再 生装置构成的部分示意图。 图5系显示本发明之资讯记录媒体之其他例、及其 记录再生装置之一例构成的示意图。 图6系显示本发明之资讯记录媒体之其他例构成的 部分示意图。 |
