| 主权项 |
1.一种钛酸钡,其系单结晶,其特征为粒内不存在1nm以上孔洞的粒子占粒子全部的20%以上。2.如申请专利范围第1项之钛酸钡,其中,粒内不存在1 nm以上孔洞的粒子占粒子全部的50%以上。3.如申请专利范围第1项之钛酸钡,其中,粒内不存在1 nm以上孔洞的粒子占粒子全部的80%以上。4.如申请专利范围第1项至第3项中任一项之钛酸钡,其中,其BET比表面积在0.1 m2/g以上。5.如申请专利范围第1项至第4项中任一项之钛酸钡,其中,在利用700℃热处理后,于红外光谱分析法中,在3500cm-1附近并未侦测到陡峭的尖峰讯号。6.如申请专利范围第1项至第5项任一项之钛酸钡,至少包含一种选自Sn、Zr、Ca、Sr、Pb、Ho、Nd、Y、La、Ce、Mg、Bi、Ni、Al、Si、Zn、B、Nb、W、Mn、Fe、Cu及Dy所成群中的元素,其相对于BaTiO3,未超过5 mol%(包含0 mol%)。7.如申请专利范围第1项至第6项中任一项之钛酸钡,系为粉状体。8.如申请专利范围第1项至第7项中任一项之钛酸钡,系利用湿式合成所得。9.一种研浆液,系包含如申请专利范围第1项至第8项中任一项之钛酸钡。10.一种糊状物,系包含如申请专利范围第1项至第8项中任一项之钛酸钡。11.一种介电材料,系包含如申请专利范围第1项至第8项中任一项之钛酸钡。12.一种介电体陶瓷,系包含如申请专利范围第1项至第8项中任一项之钛酸钡。13.一种压电材料,系包含如申请专利范围第1项至第8项中任一项之钛酸钡。14.一种压电体陶瓷,系包含如申请专利范围第1项至第8项中任一项之钛酸钡。15.一种介电体薄膜,系包含如申请专利范围第1项至第8项中任一项之钛酸钡。16.一种电容,包含如申请专利范围第11项之介电材料。17.一种电容,包含如申请专利范围第13项之压电材料。18.一种电容,包含如申请专利范围第15项之介电体薄膜。19.一种基板内电容,包含如申请专利范围第15项之介电体薄膜。20.一种印刷电路板,包含如申请专利范围第15项之介电体薄膜。21.一种电子机器,包含如申请专利范围第16项至第19项中任一项之电容。图式简单说明:图1表示钛酸钡粉末的TEM照片,观察因氢氧基脱离所造成之孔隙。图2表示BET比表面积的处理温度的关联性图。图3表示c/a的处理温度的关联性图。图4表示c/a的初级粒子的粒径的关联性图。图5表示晶格轴长的处理温度的关联性图。 |
