化合物半导体装置的制造方法

摘要

在化合物半导体装置中，在接点电极之下，为了安全，在最终工序之前，留有硅氮化膜，但有以下缺点，由于基板和硅氮化膜坚硬，接合时硅氮化膜易开裂。本发明在接点电极及配线层之下或周端部之下，设置高浓度区域，除去接点电极下的氮化膜。即使利用高浓度区域除去氮化膜，也能确保规定的隔离水平，所以，可以省略用于防止开裂的镀金工序。另外，可以缩小各接点和配电层的间隔距离，实现芯片缩小。

主权项

1、一种化合物半导体装置的制造方法，其特征在于，包括以下工序：在向一导电型的外延生长层附着作为第一层电极而形成的电阻金属层的工序之前，在预定的接点区域下的外延生长层表面，形成一导电型高浓度区域；形成和所述高浓度区域邻接的绝缘层；在所述高浓度区域上附着所述栅格金属层，形成第一接点电极；在所述第一接点电极上附着接点金属层，形成第二接点电极；在所述第二接点电极上压装接合线。