发明名称 |
半导体装置及其制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种能实现小型化、高密度化的可靠性高的半导体装置及其制造方法。该半导体装置在带衬底(1)表面上面朝下配置有第一半导体芯片(11),在第一半导体芯片的背面上面朝上配置有第二半导体芯片(12),它具有:形成在带衬底的表面上的布线图形(2);形成在带衬底的背面上的焊锡凸起(3);与所述布线图形相连接的第一半导体芯片的焊锡球(17);形成在第二半导体芯片的表面上的结合区;连接着该结合区和布线图形的接合线(4);密封了带衬底的表面上、接合线、第一和第二半导体芯片的树脂(5)。 |
申请公布号 |
CN1185709C |
申请公布日期 |
2005.01.19 |
申请号 |
CN02127399.5 |
申请日期 |
2002.08.05 |
申请人 |
精工爱普生株式会社 |
发明人 |
两角幸男 |
分类号 |
H01L25/065;H01L23/48;H01L21/60 |
主分类号 |
H01L25/065 |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
汪惠民 |
主权项 |
1.一种半导体装置,在带衬底表面上面朝下配置有第一半导体芯片,在第一半导体芯片的背面上面朝上配置有第二半导体芯片,在第二半导体芯片的表面上面朝上配置有第三半导体芯片,其特征在于:具有:形成在带衬底的表面上的布线图形;形成在带衬底的背面上的安装用外部端子;与所述布线图形相连接的第一半导体芯片的外部端子;形成在第二半导体芯片的表面上的第一结合区;形成在第三半导体芯片的表面上的第二结合区;使第一结合区和第二结合区分别与布线图形相连接的接合线;密封了带衬底的表面上、接合线、第一至第三半导体芯片的树脂。 |
地址 |
日本东京 |