棒状多晶GaN及其二步制备方法

摘要

本发明的棒状多晶GaN的二步制备方法包括以下步骤：1)采用热浴法用清洗液清洗衬底；2)将清洗后的衬底放入热蒸发装置的衬底托上，将镓源放在热蒸发装置的石英坩埚内，热蒸发装置抽真空到1Pa～10^-3Pa，加热，使衬底温度升到600～800℃，镓源温度升到600～900℃，热蒸发金属镓，使镓原子均匀分布在衬底表面；3)将步骤2)所得沉积了金属镓层的衬底放入氨气氮化装置的加热炉中，在常压或真空下，升温至800～1000℃，通入高纯氨气，进行氮化，然后在保持通氨气情况下随炉温冷却，得本发明产品是直径为200nm～2μm，长度为10～20μm的棒状多晶体。本发明的优点在于：生长设备简单，所制备出的棒状多晶GaN尺寸可控且大小均匀、价格便宜、纯度高。

主权项

1.棒状多晶GaN，其特征在于它是直径为200nm～2μm，长度为10～20μm的棒状多晶体。