预防具有部分垂直通道之记忆单元之字元线及位元线短路的结构及其制造方法

摘要

本发明提供一种预防具有部分垂直通道之记忆单元之字元线及位元线短路的结构之制造方法，其方法首先提供一定义有突出状之主动区之半导体基底，沿着主动区之顶角顺应性形成一闸极结构，闸极结构具有闸极介电层、闸极、金属矽化物层及硬罩幕层，于闸极结构中间形成一沟槽，以使闸极结构分隔为大体相等之二部分以形成二闸极介电层、二闸极、二金属矽化物层及二硬罩幕层；接着，蚀刻沟槽所露出之部分等金属矽化物，以分别形成二侧向凹槽，并分别于侧向凹槽填入一绝缘层，且分别于闸极介电层、闸极、绝缘层及硬罩幕层之相对侧壁上形成一间隙壁。