发明名称 | 一种避免电镀沉积铜薄膜生成空穴的装置及其使用方法 | ||
摘要 | 本发明系提供一种改良之电镀沉积铜(Electro–ChemicalDepositionCopper,ECD–Cu)装置以及避免铜沉积薄膜生成空穴(cavity)的方法。该电镀装置包含有一电解槽,一阳极,设于该电解槽内,以及一旋转平台,用以放置一作为电镀沈积阴极之晶圆。本发明方法是于进行该电镀铜沈积制程时,控制该旋转平台以1秒至10秒之周期交替正、逆时针方向旋转,以避免于该电解槽内之电镀溶液形成稳定的漩涡,进而抑制漩涡中之气泡附着在晶圆表面而于电镀铜薄膜中形成许多空穴的现象。 | ||
申请公布号 | TW200413574 | 申请公布日期 | 2004.08.01 |
申请号 | TW092102071 | 申请日期 | 2003.01.29 |
申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 陈学忠;蔡腾群;杨名声 |
分类号 | C25D19/00;C25D7/12;C25D5/02 | 主分类号 | C25D19/00 |
代理机构 | 代理人 | 许锺迪 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行二路三号 |