| 主权项 |
1.一种电发光装置,其特征为其包含: 透光阳极; 阴极;及 介于阳极和阴极之间的发光性[5]螺旋烯材料层, 其中[5]螺旋烯材料经二个相同之如下式所示的芳 基胺基团取代 Ar(Ar')N- 其中Ar和Ar'是相同或不同之经取代或未经取代的 芳基,该[5]螺旋烯材料在该装置中具有电洞传输力 。2.如申请专利范围第1项之装置,其中Ar和Ar'分别 选自苯基、基、联苯基、邻-、间-或对-三苯基, 或者其中Ar(Ar')N-是氮芴基(carbazolyl)。3.一种电发 光装置,其特征为其包含: 透光阳极; 阴极;及 介于阳极和阴极之间的发光性[5]螺旋烯材料层, 其中[5]螺旋烯材料经二个相同的氧杂二唑基、硫 杂二唑基或三唑基取代,其中该氧杂二唑基、硫杂 二唑基或三唑基可经取代或未经取代,及该[5]螺旋 烯材料于该装置中具电子传输力。4.一种电发光 装置,其特征为其包含: 透光阳极; 阴极;及 介于阳极和阴极之间的发射性二苯并芴材料层,而 其具有如下式所示之结构: 其中二苯并芴的5和9位置经二个相同之如下式所 示的芳基胺基团取代 Ar(Ar')N- 其中Ar和Ar'是相同或不同之经取代或未经取代的 芳基,及该二苯并芴材料在该装置中具有电洞传输 力。5.如申请专利范围第4项之装置,其中Ar和Ar'分 别选自苯基、基、联苯基、邻-、间-或对-三苯 基,或者其中Ar(Ar')N-是氮芴基。6.一种电发光装置, 其特征为其包含: 透光阳极; 阴极;及 介于阳极和阴极之间的发射性二苯并芴材料层,而 其具有如下式所示之结构: 其中二苯并芴的5和9位置经相同二唑或三唑取代, 其中该二唑或三唑可经取代或未经取代,二唑或三 唑环中可含有一或多个硫或氧原子,及该二苯并芴 材料于该装置中具电子传输力和发光力。7.一种 具电洞传输力的发光化合物,其特征为其具下列结 构(I)或(II): 其中Ar和Ar'分别是经取代或未经取代的芳基,该N原 子分别与结构式(I)中的碳原子1至14和结构(II)中的 碳原子1至6和8至13中之二者键结,及 其中未与该N原子键结之结构(I)中的碳原子1至14或 结构(II)中的碳原子1至6和8至13系未经取代或经卤 素原子、烷基、经取代的烷基、烷氧基、经取代 的烷氧基、硫代烷氧基、经取代的硫代烷氧基、 氰基、胺基、单或二取代的胺基、羟基、巯基、 芳氧基、经取代的芳氧基、芳硫基、经取代的芳 硫基、碳环芳基、经取代的碳环芳基、杂环芳基 、经取代的杂环芳基、杂环基或经取代的杂环基 取代。8.如申请专利范围第7项之化合物,其具有结 构式(I),其中碳原子7和8经相同芳基胺基团取代。9 .如申请专利范围第7项之化合物,其具有结构(II), 其中碳原子5和9经相同芳基胺基团取代。10.一种 发光化合物,其中[5]螺旋烯或二苯并芴核心键结有 拉电子基团,其具下列结构(III)或(IV): 其中X是氧、硫或经取代或未经取代的氮,R是H或烃 , 其中该拉电子基团分别与结构(I)中的碳原子1至14 或结构(II)中的碳原子1至6或8至13键结,其中,未与 该N原子键结之结构(I)中的该碳原子1至14和结构(II )中的该碳原子1至6或8至13系未经取代或经卤素原 子、烷基、经取代的烷基、烷氧基、经取代的烷 氧基、硫代烷氧基、经取代的硫代烷氧基、氰基 、胺基、单或二取代的胺基、羟基、巯基、芳氧 基、经取代的芳氧基、芳硫基、经取代的芳硫基 、碳环芳基、经取代的碳环芳基、杂环芳基、经 取代的杂环芳基、杂环基或经取代的杂环基取代 。11.如申请专利范围第10项之化合物,其具结构(III ),其中其7和8位置经相同拉电子基团取代。12.如申 请专利范围第10项之化合物,其具结构(IV),其中其5 和9位置经相同拉电子基团取代。13.一种电发光装 置,其特征为其包含: 透光阳极; 阴极;及 介于阳极和阴极之间的发光性[5]螺旋烯材料层,而 其具有如下式所示之结构: 其中[5]螺旋烯材料经二个相同之如下式所示的芳 基胺基团取代 Ar(Ar')N- 其中Ar和Ar'是相同或不同之经取代或未经取代的 芳基,及该[5]螺旋烯材料在该装置中具有电洞传输 力,及 其中第1至14位置中未为该芳基胺基团所占据者是 未经取代或分别经卤素原子、烷基、经取代的烷 基、烷氧基、经取代的烷氧基、硫代烷氧基、经 取代的硫代烷氧基、氰基、胺基、单或二取代的 胺基、羟基、巯基、芳氧基、经取代的芳氧基、 芳硫基、经取代的芳硫基、碳环芳基、经取代的 碳环芳基、杂环芳基、经取代的杂环芳基、杂环 基或经取代的杂环基取代。图式简单说明: 附图1是根据本发明之EL装置的截面图。 |
