| 主权项 |
1.一种电浆处理系统,其系用于处理半导体基体,其特征在于包括:一电浆处理室,具有为一室壁所限定之内部空间;一基体支座,置于该基体支座上之一基体于内部空间内加以处理,室壁隔离于基体支座之周围外;一气体供应装置,于基体加工期间,处理气体可经由该装置供至内部空间;一电源,可于基体处理期间,将内部空间内之处理气体激励成电浆状态;以及一陶瓷垫片,支持于室壁与基体支座之周围间,陶瓷垫片包括一组合瓷砖。2.如申请专利范围第1项之电浆处理系统,其中陶瓷垫片藉由一包括一可弯曲金属支架之弹性支承装置支承。3.如申请专利范围第1项之电浆处理系统,其中瓷砖具有联锁缘部。4.如申请专利范围第1项之电浆处理系统,其中一弹性体接合件将各瓷砖黏附于个别金属支持构件。5.如申请专利范围第4项之电浆处理系统,其中金属支持构件支承于一可弯曲金属支架上,且可弯曲金属支架藉由一热控构件支承,俾可经由一经弹性体接合体、金属支持构件及可弯曲金属支架至一热控构件之热导路径退热。6.如申请专利范围第1项之电浆处理系统,其中瓷砖藉由一用于各瓷砖与室壁间之弹性体接合件黏着于该室侧壁。7.如申请专利范围第1项之电浆处理系统,其中陶瓷垫片藉由一包括一可弯曲金属支架之弹性支承装置支承,可弯曲金属支架以一热控构件支承,俾陶瓷垫片可经由一经可弯曲金属支架伸延至热控构件之热导路径退热。8.如申请专利范围第7项之电浆处理系统,其进一步包括一藉可弯曲金属支架支承之加热器,俾加热器可对陶瓷垫片加热。9.如申请专利范围第7项之电浆处理系统,其中可弯曲金属支架包含一分段内支架构件及一分段外支架构件,一弹性体接合件将各瓷砖黏着于内支架构件之个别段部,内支架构件藉外支架构件支承,且外支架构件藉该室支承。10.如申请专利范围第1项之电浆处理系统,其中瓷砖主要含有CVD SiC。11.如申请专利范围第1项之电浆处理系统,其中瓷砖主要含有涂覆CVD SiC之烧结SiC。12.如申请专利范围第1项之电浆处理系统,其中陶瓷垫片藉由一包括内、外金属支架构件之弹性支承构件支承,此等构件配置成,于电浆处理系统操作期间,可调节陶瓷垫片与支架构件上之不同热应力。13.如申请专利范围第12项之电浆处理系统,其中外支架构件之一上部藉该室之一热控部份支承,外支架构件之一下部贴附于内支架构件之一下部,且陶瓷垫片藉内支架构件支承。14.如申请专利范围第1项之电浆处理系统,其中陶瓷垫片包含一槽孔,供基体进出该室。15.如申请专利范围第14项之电浆处理系统,其中瓷砖配置于槽孔上方及下方,且槽孔位在一贴附于垫片之晶圆通道嵌件内,瓷砖及嵌件由SiC所制成。16.如申请专利范围第12项之电浆处理系统,其中内、外金属支架构件为筒形,并包含连续上部及分段下部,分段下部包括藉轴向伸延槽缝相互隔开之轴向伸延段部。17.如申请专利范围第1项之电浆处理系统,其进一步包括一自陶瓷垫片之下部向内伸延之陶瓷电浆屏蔽,此陶瓷电浆屏蔽包含多数通道,于基体处理期间,处理气体及反应副产品经此通道自该室内部除去。18.如申请专利范围第17项之电浆处理系统,其中陶瓷电浆屏蔽由SiC制成,并包括复数个支承于该室侧壁与基体支座间之一环形空间内之段部,该等通道包括自该室侧壁径向向内伸延之槽孔。19.如申请专利范围第17项之电浆处理系统,其中陶瓷电浆屏蔽藉由一导电性弹性体接合件贴附于一弹性支承构件,弹性支承构件包括一可弯曲金属支架,且该电浆屏蔽藉由弹性体接合件电性接地至该可弯曲金属支架。20.一种以申请专利范围第1项之电浆处理系统处理基体之方法,包含:将一基体置于电浆处理室之内部空间中,并支撑该基体于基体支座上;将处理气体从气体供应装置引至内部空间;激励在内部空间中之处理气体至电浆状态;蚀刻具有电浆之基体之曝露表面;以及将基体从电浆处理室移除。图式简单说明:图1显示本发明第一实施例之一电浆反应室,其中一支承于一弹性架上之并列垫片围绕一基体支承装置;图2显示图1之电浆反应室,其略去包含垫片之种种元件;图3显示本发明一实施例,其中陶瓷垫片包含一系列安装于支持板上之瓷砖;图4显示图3之电浆反应室之立体视图;图5显示图3之电浆反应室内之一晶圆导入槽孔细部;图6显示图3之1瓷砖缘部如何装配在一起形成联锁配置;以及图7系一显示200件晶圆通道上方之图3所示配置中加热器凸缘、瓷砖及下凸缘之温度图表。 |
