| 发明名称 | 半导体器件及其制备方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件及其制备方法,在由碳化硅形成的衬底11上,依次形成缓和层12;由氮化镓形成且在其上部形成了2维电子气体层的沟道层13;以及由n型氮化铝镓形成且将载流子供到沟道层13的载流子供给层14。在由元件隔离膜15包围起来的元件形成区,有选择地形成由在载流子供给层14上生长的氮化镓形成的半导体层氧化而成的绝缘氧化层16B,再在绝缘氧化层16B上形成栅电极17。 | ||
| 申请公布号 | CN1372327A | 申请公布日期 | 2002.10.02 |
| 申请号 | CN02105253.0 | 申请日期 | 2002.02.22 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 西井胜则;井上薰;松野年伸;池田义人;正户宏幸 |
| 分类号 | H01L29/78;H01L21/336 | 主分类号 | H01L29/78 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1、一种半导体器件，其中：包括：形成在衬底上的第一氮化物半导体层；由形成在上述第一氮化物半导体层上的第二氮化物半导体层被氧化后而形成的绝缘氧化层；以及形成在上述绝缘氧化层上的栅电极。 | ||
| 地址 | 日本国大阪府 | ||