| 主权项 |
1.一种图案基材,其包括: 一金属膜, 一与该金属膜相邻之绝缘膜,及 一氮化钼薄膜,至少形成于该金属膜与该绝缘膜接 触之侧面上。2.如申请专利范围第1项之图案基材, 其中 该金属薄膜系形成一电极。3.如申请专利范围第1 项之图案基材,其中 该氮化钼薄膜系具有介于5原子百分比及30原子百 分比且包括该两値之氮含量。4.如申请专利范围 第1至3项中任一项之图案基材,其中 该绝缘膜亦作为承载基材。5.如申请专利范围第1 至3项中任一项之图案基材,其中 该绝缘膜系包含聚合物树脂。6.一种液晶显示器, 其具有如申请专利范围第1至3项中任一项之图案 基材。7.一种液晶显示器,其包括: 一对基材, 一液晶层,夹置于该对基材之间, 一提供于至少一基材上之层压层,其中该层压层系 藉着将绝缘膜及氮化钼膜层压于该基材上而形成, 及 一反射型金属膜,其具有反射功能,且位于藉着将 液晶层分割成多个区段所得之像素区域中,其中该 反射型金属膜系形成于层压层上。8.如申请专利 范围第7项之液晶显示器,其中 该氮化钼膜系具有介于原子百分比及30原子百分 比且包括该两値之氮含量。9.如申请专利范围第7 或8项之液晶显示器,其中 该反射型金属膜系作为提供电压于该液晶层之电 极。10.如申请专利范围第7至8项中任一项之液晶 显示器,其中 氧化铟锡薄膜系形成于基材上层形成有反射型金 属膜之侧面上。图式简单说明: 图1系为显示作为本发明液晶显示器之反射型液晶 显示器之像素区的平面图; 图2A系为图1之反射型基材之纵切面图; 图2B系为信号输入接头之纵切面图; 图3系为显示形成MoN膜期间于黏着性与N2流速之间 的关系之表; 图4A至4K系为显示制造该反射型基材的方法之剖面 图; 图5系为显示图4B之第一个光罩之平面图; 图6系为显示图4C中之第二个光罩的平面图; 图7系为显示本发明中作为液晶显示器之透射型/ 反射型液晶显示器之像素区的平面图; 图8系为沿着图7之线A-A'所得的剖面图; 图9A至9D系为显示制造图8之透射性/反射型基材之 方法的剖面图; 图10系为显示图9A中之第一个光罩的平面图; 图11系为显示图9B中之第二个光罩的平面图;且 图12系为本发明经图型化基材之部分剖面图。 |
