发明名称 Circuito de retardo
摘要 "CIRCUITO DE RETARDO". Um circuito de retardo eletrónico (10)para utilização em um detonador (100) tem um circuito decomutação (20) e um circuito temporizador (22). O circuito decomutação (20) controla o fluxo de uma carga armazenada deenergia elétrica, a partir de um capacitor de armazenagem (12) emdireção a um elemento de iniciação em ponte, como uma pontesemicondutora (18) ou uma ponte de tungstênio. A cronometragemda liberação desta energia é controlada por um circuitotemporizador (22). O circuito de comutação (20) é um circuitointegrado bipolar CMOS (DI BiCMOS), isolado dieletricamente, aopasso que o circuito temporizador (22) é um circuito BiCMOSconvencional. A utilização de um circuito de comutação BiCMOSpermite maior eficiência de transferência de energia, a partir docapacitor de armazenagem (12) em direção à ponte semicondutora(18), comparada à eficiência anteriormente obtida.
申请公布号 BR9713888(A) 申请公布日期 2001.11.27
申请号 BR1997PI13888 申请日期 1997.12.03
申请人 THE ENSIGN-BICKFORD COMPANY 发明人 DAVID W. EWICK;PAUL N. MARSHALL;KENNETH A. RODE;THOMAS C. TSEKA;BRENDAN M. WALSH
分类号 F42B3/13;F42B3/12;F42C11/06;(IPC1-7):F42B3/10 主分类号 F42B3/13
代理机构 代理人
主权项
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