METHOD FOR THE PREPARATION OF POROUS SILICON-CARBONITRIDE FILMS

摘要

Методът се прилага за производство на полупроводникови прибори. С него контролируемо се вгражда азот във въглеродния слой, нанесен върху порьозен силиций. Методът се осъществява, като върху силициеваподложка, предварително едностранно полирана и химически почистена чрез обработка в НF : H20 : C2H5OH в отношение 2:1:1, сила на тока 1 А и време на въздействие 15 min, се получава порьозен силициев слой с дебелина 10 m и размер на порите 200-300 А.След това върху слой от порьозен силиций чрез метода на високочестотно разпрашване или чрез химическо отлагане от газова фаза се нанася тънък (50-100А) въглероден слой, който се подлага на азотна плазмена обработка в плазмен реактор с честота 27 МНz, мощност 1,2 W/cm2, работен вакуум 0,2 Torr, разстояние между електродите 3 cm, дебит на азота 1,2l/min и време на обработка 10 min, след което се определят параметрите на получения слой чрез трансмисионна електронна микроскопия и ХРS (Х-ray Photoelectron Spectroscopy) анализ.