| 主权项 |
1.一种射频装置,包括具有射频信号(IRF,ORF)之一输入及一输出(11,12)及具有DC电源(VPA)之终端(13,19)在内之一功率放大器电路(PA),及包括一稳定器电路(STB)用以控制功率放大器之射频输出信号(ORF)之功率变化作为参考电压(VCON)之变化函数,其特征在于稳定器电路系予以配置为等于一称为标称电阻(RN)之电阻具有一预定数値作为功率放大器之一特定等功率曲线(H,DH)之一函数及在该功率放大器之DC电源终端(13)上产生一电压(VPA),视参考电压(VCON)及该标称电阻(RN)而定,以使功率放大器(PA)中耗电量(PPA)系与该参考电压(VCON)一致而与功率放大器之真实内电阻(PPA)无关,及以便同样之情形应用于与依照一大致上固定之有效因数之耗电量成比例之功率放大器(PA)之输出功率(POUT)。2.如申请专利范围第1项之装置,其特征在于稳定器电路(STB)系等于被配置在一接收该参考电压(VCON)之终端及功率放大器电路之一DC电源终端(13)之间之该标称电阻(RN),以使具有在该终端(13)所产生之一功率之功率放大器之DC电源电压(VPA)等于其在由放大器电路之工作电流(I)通过此标称电阻(RN)中之电压降所减少之参考电压(VCON)。3.如申请专利范围第2项之装置,其特征在于稳定器电路(STB)系被配置作为一在接收参考电压(VCON)之终端与具有减低装置用以降低此实际稳定器电路中之耗电量之功率放大器之电源电压终端(13)之间之一回路。4.如申请专利范围第3项之装置,其特征在于用以减低实际稳定器电路(STB)中之耗电量之装置,包括一方面被连接于产生供稳定器电路(STB)用之一DC电源电压(VBAT)之一电池(14)及另一方被连接于功率放大器(PA)之DC电源(VPA)之终端(13)之一支路(14-13),此支路系由功率放大器之工作电流(I)予以通过,及包括一串联组合体中之一具有可变电阻器之功能之一电晶体(T)及一具有与分布在1/20至1/200范围内该标称电阻(RN)相比较之一大致上低数値之小电阻(r)在内。5.如申请专利范围第4项之装置,其特点在于被配置作为一回路之稳定器电路包括第一支路中之一接收参考电压(VCON)及控制被配置作一可变电阻器之电晶体T之电阻之第一放大器A1,及该稳定器电路包括第二支路中之一具有一预定增益(G)之第二放大器,其输入终端皆连接于该小电阻(r)之终端及其输出系连接于第一放大器(A1)作为第二输入,第二放大器之增益(G)系予以预定以便此增益(G)与该小电阻(r)之数値之积系等于标称电阻(RN)之数値。6.如申请专利范围第1至第5项中任一项之装置,其特征在于标称电阻(RN)之数値为一制造批之同一型之放大器电路之内阻(RPA)之平均値。7.如申请专利范围第6项之装置,其特征在于用以实施装置之功率放大器之一制造批之功率放大器业已在一相当放在等于标称电阻(RN)之标称电流-电压特性曲线(DN)周围之极限电流-电压特性曲线(D1,D2)之范围(a,a2)中预定分散系数,这些极限特性曲线(D1,D2)系使包括在此等极限特性曲线之间之特性曲线和一与位于此曲线(H)及标称特性曲线(Dn)之交接点上之正确等功率曲线(H)相切之直线(DH)之交接决定大致上与皆位于正确等功率曲线(H)上之电流-电压数値对一致之电流-电压数値对,及特征在于该正切之直线(DH)系一大致上正确之等功率曲线以便此直线之电流-电压数値对由恒定耗电量引起所致而不受放大器之所制造批之放大器。8.如申请专利范围第1至第5项中任一项之装置,包括一功率放大器电路及一稳定器电路在一射频收发器电路内。9.如申请专利范围第8项之装置,以钛酸钡积体电路技术(GaAs)予以实施。10.一种行动收发器端装置,其特征在于包括如申请专利范围第1至第5项中任一项之一射频装置。图式简单说明:第一图A以一简化方式表示一种具有一功率放大器电路及一稳定器电路之射频装置,第一图B系第一图A之装置之一相等电路图,及第一图C表示具有电路之偏压及反馈系统之第一图A之装置;第二图A及第二图B表示放大器电路之特性曲线;第三图表示被描绘之功率放大器之耗电量对照制造分散系数之变化;第四图表示一包括一射频收发器电路在内之装置;及第五图表示一包括以第一图A至第一图C之一或第四图中所示之装置在内之行动收发器端。 |
