| 主权项 |
1.一种MOS的制造方法,其至少包括:在一基底上形成一闸极沟渠;在该沟渠底部形成一水平通道;形成垂直排列之一源极与汲极区,并与该沟渠之该外围侧墙平行;在该沟渠之内侧墙形成一隔离区;以及在该沟渠中形成一闸极区。2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该闸极沟渠系在该源极与汲极区上沉积一光阻层,并以非等向性蚀刻该沟渠而形成。3.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该通道系以在该蚀刻沟渠与基底表面上沉积一薄闸极氧化物而形成。4.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中以一角度植入离子而形成垂直排列并与该沟渠之该外围侧墙平行之一源极与汲极区。5.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该隔离区之形成系沉积一绝缘材料,并蚀刻该绝缘材料,使该绝缘材料覆盖住该沟渠之该内侧墙。6.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该闸极区系以回蚀刻该薄复晶矽材料,并在该沟渠中与该基底沉积一闸极材料而形成。7.如申请专利范围第6项所述之制造方法,其中该闸极区更进一步以回蚀刻该闸极材料,使该闸极材料与该基底同高而形成。8.一种MOS元件,其至少包括:一基底,具有一第一导电型;一闸极沟渠,位在该基底中;一通道,位于且平行于该沟渠底部;一源极与汲极区,具有与该第一导电型之一第二导电型,该沟渠之该外围侧墙平行且垂直排列;一隔离区,平行于该沟渠之内侧墙且垂直排列;以及一闸极区,具有该第一导电型,位于该沟渠中。9.如申请专利范围第8项所述之MOS元件,其中该通道区为一闸极氧化物层,位于该闸极沟渠表面且平行于该闸极沟渠。10.如申请专利范围第8项所述之MOS元件,其中该闸极区位于该闸极沟渠中。11.如申请专利范围第10项所述之MOS元件,其中该闸极区大致上与该沟渠与该基底表面同高。图式简单说明:第一图系显示一种习知NMOS元件之剖面图;第二图系显示根据本发明较佳实施例之剖面图;以及第三图A至第三图E为根据本发明较佳实施例之制造流程剖面图。 |
