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<P>L'invention concerne un circuit de génération d'une haute tension en rampe pour l'alimentation en tension d'une charge capacitive, notamment une haute tension de programmation ou d'effacement d'au moins une cellule mémoire d'une mémoire non volatile comportant des transistors à grille flottante comme éléments de mémorisation, comprenant un transistor de charge de type P (2) relié par sa source à la sortie d'un circuit élévateur de tension délivrant une haute tension (HIV) continue et constante, par son drain à la charge (5), la haute tension en rampe (Vpp) étant disponible sur ce drain (S), et par sa grille de commande à un circuit bouclé de régulation du courant de charge réalisant l'asservissement de la pente de la haute tension en rampe (Vpp).Avantage : génération d'une haute tension en rampe, dont la pente est inférieure à une pente critique et la valeur maximum élevée.</P>
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