| 发明名称 | 在液体中处理半导体片的方法和装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种从半导体片上去除有机物质的方法。该方法包括使用吸收有臭氧的低于室温的去离子水。臭氧化的水流过半导体片，臭氧将半导体片上的有机物质氧化成不溶性气体。通过在盛有半导体片和低于室温的去离子水的处理槽中扩散臭氧，可就地制备臭氧化的水。本发明还提供了一种用液体处理半导体片(14)的处理槽(13)以及在处理槽(13)中的液体中直接扩散气体的气体扩散器(4)。 | ||
| 申请公布号 | CN1127569A | 申请公布日期 | 1996.07.24 |
| 申请号 | CN94192794.6 | 申请日期 | 1994.07.15 |
| 申请人 | 莱格西系统公司 | 发明人 | R·R·马修斯 |
| 分类号 | H01L21/304 | 主分类号 | H01L21/304 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 段承恩 |
| 主权项 | 1.一种从半导体片上除去有机物质的方法，该方法包括在大约1℃～15℃的温度下使半导体片与臭氧的水溶液相接触。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯州 | ||