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发明名称 DOUBLE-LAYERED CRUCIBLE FOR GROWING SILICON SINGLE CRYSTAL
摘要
申请公布号 JPH082994(A) 申请公布日期 1996.01.09
申请号 JP19950057817 申请日期 1995.03.16
申请人 MITSUBISHI MATERIALS CORP;MITSUBISHI MATERIALS SHILICON CORP 发明人 ABE HIROSHIGE;FURUYA HISASHI;MACHIDA TSUNEHISA;ARAI YOSHIAKI
分类号 C30B15/12;C30B29/06;H01L21/208;(IPC1-7):C30B15/12 主分类号 C30B15/12
代理机构 代理人
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