发明名称 INTEGRATED CMOS SEMICONDUCTOR CIRCUIT
摘要 <p>Integrierter Halbleiterschaltkreis CMOS-Tecknik zur Reduzierung des Energieverbrauchs bei dem wenigstens ein Transistorpaar mit verschiedenen Versorgungsspannungen stabil betreibbar ist, indem jede Versorgungsspannung eine zugeordnete Schwellwertspannung aufweist, die über die Vannenvorspannung und die Substratvorspannung einstellbar ist. Das Substrat des Transistorpaares ist mit einer Substratvorspannungsgeneratorschaltung und die Wanne mit einer Wannenvorspannungsgeneratorschaltung verbunden, die in Abhängigkeit von einem Eingangssignal, das die Höhe der Versorgungsspannung repräsentiert, die jeweilige, der Höhe der Versorgungsspannung entsprechende Vorspannung einstellt, um die Schwellwertspannung derart an die jeweilige Vorsorgungsspannung anzupassen, daß immer ein stabiler Betrieb des Transistorpaares gewährleistet ist. Ein Datenverarbeitungssystem mit dem integrierten Halbleiterschaltkreis, der beispielsweise bei einer Versorgungsspannung von 3,6 V, einer Taktfrequenz von 66 MHz und einem relativen Energieverbrauch von 1 arbeitet, erreicht nach der Umschaltung auf eine Versorgungsspannung von 1,2 V und einer Taktfrequenz von kleiner 5 MHz einen relativen Energieverbrauch von kleiner 0,01 und eine Verlängerung der Betriebszeit bei einem batteriebetriebenen PC um das ca. 100fache.</p>
申请公布号 WO1994001890(A1) 申请公布日期 1994.01.20
申请号 DE1993000443 申请日期 1993.05.21
申请人 发明人
分类号 主分类号
代理机构 代理人
主权项
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