色散式全像分光计

摘要

本发明系有关于一种用以分析出自红外线光源之辐射的色散式全像分光计者。该全像分光计包括一个在一个面上有一全像透镜，另一个面上有许多侦检器，且在相对之二个面上有一对微分电极之压电块。出自光源而投射于全像透镜上之幅射线被分散成各种分支波长且被导引朝向侦检器行列。全像透镜上记录得有一个全像干扰图型以使预定波长之分支幅射线被充分扩散而使特定波长之幅射线落在侦检器行列中之特别的侦检器元件上。藉着在电极上施加电压即可于压电块内造成一个电场以使压电块收缩或膨胀。压电块内之此项变化使从全像透镜到侦检器行列之幅射线改变方向。所以，光源与全像透镜间之失调可受到补偿以致于调整压电块即可使各个波长之幅射线落于预期之侦检器元件。此外，尚可将不同波长所发出之幅射线由此一侦测器元件导引至另一侦检器元件上。该侦测器行列为自我扫瞄式，故而可在某一频率范围内将某一吸收光谱测量出来并记录下来。

主权项

用以生产辐射线之光源装置;一压电块,对该光源 装置所发辐射线为大致透光 ;全像透镜装置,附装于所述块之一外表面上且其 内具有一经记录之干扰图型 用以接收所述辐射线及将所述辐射线分散成多数 分支波段;以及用以侦测各所 述分支波段之侦测器装置。 2﹒如申请专利范围第1项之全像分光计,倘包括至 少二个电极;所述全像透 镜装置、侦测器装置,及所述至少二个电极系附装 于所述压电块之外表面 上。 3﹒如申请专利范围第1项所述之全像分光计,其间 该侦检器装置系为若干行 列之侦检器且该全像透镜装署将该光源所发出之 各分支波段辐射线导引并 色散至侦检器行列之特定侦检器元件上者。 4﹒如申请专利范围第3项所述之全像分光计,其间 侦检器元件之行列为自我 扫瞄式者。 5﹒如申请专利范围第2项所述之全像分光计,其间 该至少为二个之电极在该 压电块内造成一个电场,以致于该压电块会改变该 全像透镜装置所色散之 辐射线之方向者。 6﹒如申请专利范围第2项所述之全像分光计,其间 该侦检器装置为侦检器元 件之一行列且该至少为二个之电极在该压电块内 造成一电场以至于该压电 块被实质改变,从而受该全像透镜装置导引并色散 之一特定波段之辐射线 从一侦测器元件被导引至另一侦测器元件者。 7﹒如申请专利范围第3项所述之全像分光计,其间 侦测器元件之行列为自我 扫瞄式者。 8﹒如申请专利范围第2项所述之全像分光计,其间 电压块为妮酸锂制成者。 9﹒如申请专利范围第2项所述之全像分光计,其间 该压电块为一长方块而该 全像透镜装置被附着于该长方块之一短侧面上,该 至少为二个之电极被附 着于该长方块之相背两长侧面上而该侦检器装置 被附着于背朝着附有该全 像透镜装置之短侧面的一端具有一个电极之二个 长侧面其中之一上者。 10﹒一种供分析气体光谱之用的结实电场分光计, 其中包括下列各项者:一 个包括供引进与排出待分析气体之用之各项装置 在内,实际为气密式之 壳室一个位于该壳室内之辐射光源;一块被置于该 壳室内远离该光源处 之压电材料,该压电块实际上对该光源所发之辐射 线而言系透明着;二 个被置于该压电块相背两侧之电极一个被置于该 压电块上之全像透镜, 该全像透镜自该光源接收辐射线并在该压电块内 将辐射线色散成若干分 支波段:一个被置于该压电块上之侦检器,该侦检 器接收为该全像透镜 所色散之辐射线;以及用以分析该侦检器所接收辐 射线之各项装货。 11﹒如申请专利范围第10项所述之电场分光计,其 中包括各项将电压施之 于该电极上以至于该压电块膨胀或收缩而改变出 自该全像透镜之辐射线 方向之装置者。 12﹒如申请专利范围第10一项所述之电场分光计, 其间该侦检器为若干侦 检器元件排列成之一个行列且该电压使压电块收 缩或膨胀以至于一特定 波段之辐射线从一侦检器元件上被导引至另一侦 检器元件上者。 13﹒如申请专利范围第11项所述之电场分光计,其 间该压电块系以铌酸锂 制成者。 14﹒如申请专利范围第12项所述之电场分光计,其 间侦检器元件之行列为 自我扫瞄式者。 15﹒一种用以在样本上执行光谱分析之全像分光 计,其中包括下列各项者: 一个辐射线光源;一个远离该辐射光源之压电块, 该压电块实际上对该 光源研发之辐射线为透明且包括在其一个面上之 一全像透镜,相背两面 上之二个电极及一个面上之一侦检者在内者;其间 该光线朝着该压电魂 魄射辐射线以至于该全像透镜将辐射线导引并色 散成若干分支波段穿透 该压块而侧向该侦检器前进者。 16﹒如申请专利范围第15项所述之全像分光计,其 间该等电极被安置得接 收一电压差以收缩或膨胀电压块以至于出自该全 像透镜之辐射线被改变 方向着。 17﹒如申请专利范围第16项所述之全像分光计,只 间该侦检器为侦检器元 件组成之行列且该电压差改变幅射线之方向以至 于一特定波段之辐射线 由一侦检器元件上被导引至另一侦检器元件上者 。 18﹒如申请专利范围第17项所述之全像分光计,其 间该压电块为一铌酸锂 块者。 19﹒一种光谱分析方法,包括下列步骤:将一内有一 经记录之干扰图型之全 像透镜及一侦测器置于一压电块上;自一辐射线光 源将特定频率之辐射 线朝向所述压电块辐射;及经由该全像透镜接收来 自该光源之辐射线, 如此该全像透镜将该辐射线分散成多数分支波段 并朝向该侦测器导引之 。 20﹒如申请专利范围第19项所述之光谱分析方法, 其中进一步包括下列步 骤者:将一对电极安置于压电块上并对其施加电压 以使压电块膨胀或收 缩而使从全像透镜通往侦检器之辐射线改变方向 。 21﹒如申请专利范围第20项所述之光谱分析方法, 其间之侦检器为自我扫 瞄式侦检器元件所组成之行列而施之于电极上之 电压将一特定波段之辐 射线由一侦检器元件导引至另一侦检器元件者。 22﹒如申请专利范围第20项所述之光谱分析方法, 其中更包括下别各项步 骤者:将压电块,电极,辐射光源、全像透镜与侦检 器安置于一具有供 吸入与排出待分析之气体样本之用的各项装置之 壳室内。