| 摘要 |
반도체 장치는, 트랜지스터 (121), 다이오드 (122), 제 1 검출 회로 (152), 제 2 검출 회로 (153), 산출 회로 (154) 및 판정 회로 (155) 를 포함한다. 다이오드는, 이 트랜지스터에 역병렬로 접속된다. 제 1 검출 회로는 상기 트랜지스터의 게이트 전압의 시간에 대한 변화율을 검출하도록 구성된다. 제 2 검출 회로는 트랜지스터의 게이트 전류를 검출하도록 구성된다. 산출 회로는 게이트 전류, 및 게이트 전압의 시간에 대한 변화율에 기초하여, 게이트 용량을 산출하도록 구성된다. 판정 회로는 트랜지스터의 게이트에 전하가 주입되고 있을 때의 게이트 용량의 판정 결과에 기초하여, 전류가 트랜지스터로 흐르는지 또는 다이오드로 흐르는지의 여부를 판정하도록 구성된다. |
