半导体激光器

摘要

本发明是一个具有隐埋阻断层限流的双异质结型(DH)半导体激光器。根据这个发明，一个晶体结构被弄乱的高阻区(14)存在于外边和条形有源区4A的两边，至少延伸贯穿了阻断层5的厚度。因此，横向漏电流和寄生电容被减小，使这个激光器能用在显著高于1GHz的频率。高阻区14最好用质子轰击得到。本发明对用于光通讯的DCPBH激光器是特别有益的。

主权项

1、本半导体激光器由第一导电型的衬底和在衬底上的层结构的半导体材料组成的。所说的层结构至少依次有一个第一导电型的第一无源层，一个第二相反导电型的第二无源层，一个位于第一、第二无源层之间的具有pn结的有源层和一个限流阻断层。pn结在足够高的正向电流作用下，在位于共振腔内的有源、层的条形区内产生相干电磁辐射。第一第二无源层对产生的电磁辐射的折射率较低，带隙比有源层大。限流阻断层在有源层面上有一个条形断路。第二无源层及衬底与导线电气地相连。本发明的特点在于有一个晶体结构被打乱了的高电阻区。这个高电阻区在条形有源区的两边，从相对的衬底的半导体材料这边延伸到外边，至少贯穿了阻断层的厚度。