发明名称 レジスト下層膜形成組成物及びそれを用いたレジストパターンの形成方法
摘要 【課題】新規なリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物を提供する。【解決手段】下記式(1)で表される構造をポリマー鎖の末端に有するポリマー、架橋剤、架橋反応を促進させる化合物及び有機溶媒を含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。【化1】(式中、R1、R2及びR3はそれぞれ独立に水素原子、炭素原子数1乃至13の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、ハロゲノ基又はヒドロキシ基を表し、前記R1、R2及びR3の少なくとも1つは前記アルキル基を表し、Arはベンゼン環、ナフタレン環又はアントラセン環を表し、2つのカルボニル基はそれぞれ前記Arで表される環の隣接する2つの炭素原子と結合するものであり、Xは炭素原子数1乃至3のアルコキシ基を置換基として有してもよい炭素原子数1乃至6の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基を表す。)【選択図】なし
申请公布号 JPWO2015046149(A1) 申请公布日期 2017.03.09
申请号 JP20150539206 申请日期 2014.09.22
申请人 日産化学工業株式会社 发明人 西田 登喜雄;大西 竜慈;藤谷 徳昌;坂本 力丸
分类号 G03F7/11;C08G59/42;C08G63/42;G03F7/20;H01L21/027 主分类号 G03F7/11
代理机构 代理人
主权项
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