| 发明名称 | 薄型硅太阳能电池和制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种制造太阳能电池的方法。所述方法包括如下步骤：在硅基底(100)上形成牺牲层(112)、在牺牲基底的顶上形成掺杂硅层(120)、在掺杂硅层(120)的顶上形成硅膜(130)、在硅膜(130)上形成多个叉指触点(144、146)、使多个叉指触点(144、146)中的每一个与金属触点(150)接触，以及去除牺牲层(112)。 | ||
| 申请公布号 | CN103460354B | 申请公布日期 | 2017.02.15 |
| 申请号 | CN201280016419.5 | 申请日期 | 2012.03.19 |
| 申请人 | 太阳能公司 | 发明人 | 林承笵;迈克尔·莫尔斯;金泰锡;迈克尔·J·卡德兹诺维克 |
| 分类号 | H01L21/331(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/331(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 陈源;顾丽波 |
| 主权项 | 一种制造太阳能电池的方法，包括如下步骤：在硅基底上形成牺牲层；将所述牺牲层的表面纹理化；在所述牺牲层的顶上形成掺杂硅层；在所述掺杂硅层的顶上形成硅膜；在所述硅膜上形成多个叉指触点；使所述多个叉指触点中的每一个与金属触点接触；以及去除所述牺牲层。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||